QFN บัดกรีวาง

มุ่งเน้นไปที่กระบวนการบัดกรี SMT ซึ่งเป็นผู้ให้บริการโซลูชันการบัดกรีอิเล็กทรอนิกส์แบบครบวงจร

QFN บัดกรีวาง
บ้าน QFN บัดกรีวาง QFN Solder Paste สำหรับบรรจุภัณฑ์แบบชิป ลูกประสานต่ำที่ทนต่อการเป็นโมฆะ SMT Reflow Solder Paste

QFN Solder Paste สำหรับบรรจุภัณฑ์แบบชิป ลูกประสานต่ำที่ทนต่อการเป็นโมฆะ SMT Reflow Solder Paste

QFN บัดกรีวาง ความรู้

ที่นี่คุณจะได้พบกับความรู้เกี่ยวกับ QFN บัดกรีวางรวมถึงแต่ไม่จำกัดเพียงวิธีการใช้งาน เทคนิคการติดตั้ง การแก้ไขปัญหา และอื่นๆ มุ่งเน้นไปที่กระบวนการบัดกรี SMT หากคุณไม่พบสิ่งที่คุณต้องการ โปรดติดต่อเราได้ตลอดเวลา

แผ่นความร้อนด้านล่างบัดกรี QFN ลดช่องว่างโดยการควบคุมระดับเสียงแบบบัดกรี

ช่องว่างที่มากเกินไปในแผ่นระบายความร้อนด้านล่างในระหว่างการบัดกรี QFN ถือเป็นจุดล้มเหลวความถี่สูงในสายการผลิต ซึ่งมีรากฐานมาจากการควบคุมระดับเสียงของสารบัดกรีที่ไม่เหมาะสม เครื่องบัดกรีซีรีส์ Jia Jinyuan SG-880 ใช้กับรูรับแสงลายฉลุ 0.15 มม. และการควบคุมอุณหภูมิสิ่งแวดล้อม 25 ℃ สามารถลดอัตราโมฆะให้ต่ำกว่า 8% โซลูชันนี้ได้รับการตรวจสอบอย่างต่อเนื่องในสายการผลิตจำนวนมากของโมดูล MCU ในยานยนต์เป็นเวลา 6 เดือน

ที่ตีพิมพ์: 2013-07-18

การวางตำแหน่งชิป BGA/QFN การบัดกรี SMT: การบัดกรีแบบ Low-Voidage เป็นกุญแจสำคัญ

เมื่อบัดกรีชิป BGA/QFN ผ่าน SMT อัตราช่องว่างที่มากเกินไปสามารถนำไปสู่ข้อต่อบัดกรีเย็น ความต้านทานความร้อนที่เพิ่มขึ้น และความล้มเหลวตั้งแต่เนิ่นๆ และการบัดกรีที่มีช่องว่างต่ำเป็นวิธีแก้ปัญหาหลักสำหรับปัญหานี้ อัตราโมฆะของสารบัดกรี JiaJinYuan JL-808 ซีรีส์ได้รับการควบคุมอย่างเสถียรต่ำกว่า 8% ในการผลิตจำนวนมาก เมื่อผสมผสานกับการออกแบบรูรับแสงลายฉลุที่ได้รับการปรับให้เหมาะสมและการรีโฟลว์ที่ป้องกันไนโตรเจน จะสามารถลดอัตราการเป็นโมฆะที่ด้านล่างของแพ็คเกจ QFN จาก 25% เหลือ 6.3% ในขณะที่อัตราโมฆะของลูกบอล BGA แต่ละลูกจะลดลงเป็น 4.1% พร้อมกัน

ที่ตีพิมพ์: 2013-03-25

การบัดกรี QFN: กระบวนการบัดกรีแบบยึดพื้นผิวสำหรับอุปกรณ์ Quad Flat No-Lead

กระบวนการบัดกรี QFN จำเป็นต้องมีการควบคุมปริมาณการบัดกรี รูรับแสงของสเตนซิล และโปรไฟล์การรีโฟลว์อย่างแม่นยำ การวัดจริงในสายการผลิตของ Jia Jinyuan แสดงให้เห็นว่าลายฉลุหนา 0.12 มม. พร้อมรูรับแสงรูปสี่เหลี่ยมคางหมู 30μm สามารถยับยั้งข้อต่อบัดกรีเย็นและการเชื่อมได้อย่างมีประสิทธิภาพ เมื่อรวมกับพารามิเตอร์การรีโฟลว์ที่มีอุณหภูมิสูงสุดที่ 235°C±2° ภายใต้การป้องกันไนโตรเจน และเวลาที่สูงกว่าของเหลวที่ 65 วินาที อัตราผลตอบแทนของการบัดกรี QFN ในรอบแรกจะคงที่สูงกว่า 99.2%

ที่ตีพิมพ์: 2010-06-17

การเพิ่มประสิทธิภาพอัตราส่วนรูรับแสงของแผ่นรองด้านล่างสำหรับอุปกรณ์ BGA/QFN บนสเตนซิล SMT

สเตนซิล SMT ส่งผลโดยตรงต่ออัตราการปล่อยสารบัดกรีและอัตราโมฆะในการปรับอัตราส่วนรูรับแสงของแผ่นอิเล็กโทรดภายใต้ BGA/QFN ให้เหมาะสม การวัดจริงโดย JJY แสดงให้เห็นว่าอัตราส่วนรูรับแสง 0.72~0.85 สามารถปรับสมดุลประสิทธิภาพการเติมของแผ่นความร้อน QFN และความเสี่ยงในการเชื่อมต่อลูกบอลบัดกรี BGA fine-pitch อัตราส่วนที่ต่ำเกินไปทำให้เกิดข้อต่อประสานเย็นได้ง่าย ในขณะที่อัตราส่วนที่สูงเกินไปทำให้เกิดหลุมศพหรือลูกประสาน

ที่ตีพิมพ์: 2010-05-11

การบัดกรีแพ็คเกจ QFN แบรนด์การวางบัดกรีในประเทศที่มีโมฆะต่ำ

การบัดกรีแพ็คเกจ QFN มีข้อกำหนดที่สูงมากเกี่ยวกับความสามารถในการทำให้เปียก อัตราโมฆะ และสารตกค้างของสารบัดกรี สารบัดกรีไร้ฮาโลเจนของซีรีส์ 8M9P/5RR ที่เปิดตัวโดยแบรนด์สารบัดกรีในประเทศ JiaJinYuan มีอัตราการเป็นโมฆะที่ต่ำมาก เมื่อจับคู่กับผงโลหะผสม 0307T4 จะเกิดความเสถียรภายในหน้าต่างการรีโฟลว์ 240–255°C ในขณะเดียวกัน ซีรีส์ 8MQP/5RQ สามารถทำให้เปียกเกือบ 100% สำหรับสารบัดกรี QFN เนื่องจากมีกิจกรรมสูง ทำให้เป็นตัวเลือกในทางปฏิบัติที่สำคัญสำหรับสารบัดกรีที่มีช่องว่างต่ำและสำหรับสารบัดกรีในประเทศเพื่อทดแทนทางเลือกอื่นที่นำเข้า

ที่ตีพิมพ์: 2009-02-22

ต้องการเรียนรู้เพิ่มเติมหรือไม่? ติดต่อเรา

ทีมงานด้านเทคนิคของเราพร้อมเสมอที่จะให้คำแนะนำในการเลือกวัสดุบัดกรีแบบมืออาชีพและโซลูชั่นกระบวนการ SMT