Sau khi bảng điều khiển hỗn hợp được đưa vào đường dây SMT, các điện trở nhỏ 0201 có Biểu hiện hiện tượng Tombstoning hàng loạt, trong khi các thiết bị QFN trên cùng bảng điều khiển bị ướt kém. Nguyên nhân sâu xa là do sự chênh lệch phản ứng nhiệt quá mức giữa các thiết bị, khiến cho cửa sổ thời gian nóng chảy của kem hàn bị sai lệch nghiêm trọng với thời gian đến nhiệt độ cao nhất thực tế. Giải pháp trước tiên là đo đường cong tăng nhiệt độ tại điểm trung tâm của từng thiết bị bằng cách sử dụng cặp nhiệt điện, sau đó thiết kế ngược cấu hình phản xạ dòng chảy cho toàn bộ bảng dựa trên bộ phận làm nóng chậm nhất, kéo dài vùng ngâm thêm 30 giây và giảm nhiệt độ cao nhất xuống 5°C. Biện pháp phòng ngừa quan trọng là kiểm tra sự phân bố nhiệt độ thực tế của ba bảng đại diện bằng KIC hoặc TAP trước mỗi lần thay đổi.
Trên cùng một bảng, cặn Bi hàn có nhiều ở khu vực bảng dày, trong khi một số lượng lớn vết hàn bắn ra xảy ra ở khu vực bảng mỏng. Hiện tượng này xuất phát từ thực tế là khi chênh lệch độ dày vượt quá 0,4 mm, chênh lệch tốc độ dẫn nhiệt vượt quá 35%, dẫn đến các giai đoạn bay hơi không nhất quán của chất trợ dung trong kem hàn. Giải pháp thực tế là gắn tấm mang lá đồng 0,3 mm vào mặt sau của khu vực tấm dày trước khi nung chảy lại để cải thiện độ dẫn nhiệt, giảm độ dốc gia nhiệt của vùng làm nóng trước thứ hai từ 1,8°C/s xuống 1,2°C/s và chuyển sang chất hàn dán hoạt tính trung bình với hàm lượng chất rắn 68,5% để phù hợp với cửa sổ bay hơi dung môi rộng. Biện pháp phòng ngừa quan trọng là yêu cầu kiểm soát chênh lệch độ dày giữa các tấm dày và mỏng trong phạm vi 0,3 mm trong giai đoạn thiết kế tấm hỗn hợp.
Tỷ lệ khoảng trống hàn của các thành phần CHIP ở rìa tấm nền vượt quá 35%, trong khi ở khu vực trung tâm chỉ là 8%. Điều này là do tốc độ làm mát cục bộ quá cao do tản nhiệt nhanh ở các cạnh. Nguyên nhân là do các cạnh bị ảnh hưởng rất nhiều bởi lượng không khí trong quá trình vận chuyển dây xích. Giải pháp thực tế là bổ sung các vách ngăn không khí trong hai giai đoạn đầu tiên của vùng làm mát lò phản xạ để giảm tốc độ gió, mở rộng các lỗ ở các bộ phận cạnh trên khuôn tô lên 8% tổng thể để bù cho tổn thất thể tích hàn và tăng nhiệt độ bắt đầu làm mát từ 217°C lên 225°C. Biện pháp phòng ngừa chính là sử dụng tia X để kiểm tra tại chỗ tỷ lệ khoảng trống của 5 điện trở cùng mẫu ở rìa và giữa tương ứng cho sản phẩm đầu tiên của mỗi lô.
Sau khi trộn bảng phụ FR4 với lá đồng diện tích lớn và bảng phụ PTFE tần số cao, các mối hàn trên bảng trước xuất hiện màu xám, trong khi bảng sau có góc ướt >90°. Vấn đề nảy sinh do hệ số khuếch tán nhiệt của hai chất nền khác nhau 4,2 lần, khiến thời gian phân hủy của chất kích hoạt dán hàn bị sai lệch hoàn toàn trong cùng một cấu hình phản xạ lại. Giải pháp thực tế là sử dụng khuôn tô hai vùng, phóng to các lỗ ở khu vực PTFE thêm 12% và kết hợp nó với kem hàn có chứa nhựa thông, giảm 5% các lỗ ở khu vực FR4 và sử dụng miếng dán hàn không sạch. Cấu hình chỉnh lại dòng cần chèn phần nhiệt độ không đổi 195°C vào Cuối vùng ngâm trong 45 giây. Biện pháp phòng ngừa quan trọng là xác nhận xem chênh lệch nhiệt độ chuyển thủy tinh giữa hai bảng có nhỏ hơn 20°C hay không trước khi trộn.
Khi bảng điều khiển chứa bộ đế nhôm, tản nhiệt ở mặt sau của nó sẽ khiến nhiệt độ đỉnh nóng chảy lại thấp hơn 22°C so với bộ FR4, trực tiếp dẫn đến độ dày lớp IMC dưới 1,8 μm trên các mối hàn LED của đế nhôm. Nguyên nhân là do đế nhôm có khả năng tỏa nhiệt lớn và đường tản nhiệt kim loại phía dưới không bị chặn. Giải pháp thực tế là che phủ hoàn toàn mặt sau của đế nhôm bằng một miếng silicon chịu nhiệt độ cao (độ dẫn nhiệt 1,2 W/m·K) và lắp đặt một chất mang than chì đặc Biệt, đồng thời tăng công suất của hai vùng gia nhiệt Cuối cùng của lò phản xạ lên 15%. Biện pháp phòng ngừa quan trọng là các cặp nhiệt điện phải được bố trí riêng cho bộ phận đế nhôm để theo dõi nhiệt độ thực tế của bề mặt bảng thay vì dựa vào giá trị cài đặt trong khoang lò.
