ผู้ผลิตวางประสาน SMT
มุ่งเน้นไปที่กระบวนการบัดกรี SMT ซึ่งเป็นผู้ให้บริการโซลูชันการบัดกรีอิเล็กทรอนิกส์แบบครบวงจร
ที่นี่คุณจะได้พบกับความรู้เกี่ยวกับ วัสดุบัดกรีรวมถึงแต่ไม่จำกัดเพียงวิธีการใช้งาน เทคนิคการติดตั้ง การแก้ไขปัญหา และอื่นๆ มุ่งเน้นไปที่กระบวนการบัดกรี SMT หากคุณไม่พบสิ่งที่คุณต้องการ โปรดติดต่อเราได้ตลอดเวลา
ปัญหาการบัดกรีด้วยความเย็นมักเกิดจากการที่อุณหภูมิสูงสุดที่แท้จริงของเตาอบแบบรีโฟลว์ไม่ไปถึงหน้าต่างกิจกรรมการบัดกรี การตรวจสอบสายการผลิตโดย JiaJinYuan แสดงให้เห็นว่าการทดสอบอุณหภูมิเตาอบอย่างน้อยสัปดาห์ละครั้งสามารถควบคุมอัตราข้อบกพร่องในการบัดกรีด้วยความเย็นได้อย่างเสถียรภายใน 300ppm ช่วงความผันผวนของแต่ละโซนอุณหภูมิวัดโดยใช้ตัวสร้างโปรไฟล์อุณหภูมิ KIC เพื่อให้แน่ใจว่าการบัดกรีแบบพอกหลอมละลายเพียงพอ และความหนาของชั้นสารประกอบระหว่างโลหะ (IMC) ตรงตามมาตรฐาน
ที่ตีพิมพ์: 2009-06-07โรงงานหลายแห่งได้ทดสอบและยืนยันว่าสารบัดกรีในประเทศมีความเสถียรในการใช้งานบัดกรีแบบรีโฟลว์ ซีรีส์ 8MQP/5RQ มีอัตราการบัดกรีเพิ่มขึ้นเกือบ 100% ซีรีส์ 8MNTP/5RNTT มีปริมาณฮาโลเจนต่ำถึง 100~200ppm และซีรีส์ 8M9P/5RR ให้ฮาโลเจนเป็นศูนย์ 0ppm และมีช่องว่างต่ำมาก ผลิตภัณฑ์เหล่านี้ครอบคลุมสถานการณ์ต่างๆ เช่น QFN/DFN ระบบไฟส่องสว่างในรถยนต์ การสื่อสารที่มีความแม่นยำสูง และการเชื่อมด้วยเลเซอร์ด้วยอุณหภูมิต่ำพิเศษ ขณะนี้การเปลี่ยนสารบัดกรี SMT ในประเทศมีช่วงอุณหภูมิเต็มรูปแบบและความสามารถในการปรับเปลี่ยนกระบวนการได้เต็มรูปแบบ
ที่ตีพิมพ์: 2009-05-19สารบัดกรีในประเทศหลายชนิดได้รับการทดสอบเพื่อหาตัวบ่งชี้หลัก รวมถึงอัตราการไต่ของบัดกรี QFN การควบคุมช่องว่าง และความโปร่งใสของสารตกค้าง การเลือกวางประสาน PCB จะต้องตรงกับหน้าต่างกระบวนการเฉพาะ กิจกรรมของสารบัดกรีนั้นแปรผกผันกับปริมาณฮาโลเจน สารบัดกรีในประเทศตอนนี้ครอบคลุมการไล่ระดับเต็มรูปแบบจาก ROL0 แบบฮาโลเจนเป็นศูนย์ไปจนถึง ROL1 ที่ปราศจากฮาโลเจน 8M9P/5RR บรรลุอัตราโมฆะต่ำสำหรับระบบแสงสว่างสำหรับยานยนต์ ในขณะที่ 8MNTTP/5RNTT บรรลุการไต่ระดับการบัดกรีมากกว่า 90% บนแผ่นความหนาแน่นสูงของมาเธอร์บอร์ดโทรศัพท์มือถือ
ที่ตีพิมพ์: 2009-04-25บทความนี้สรุปซีรีส์การวางบัดกรีในประเทศกระแสหลัก 12 ซีรีส์ ซึ่งครอบคลุมข้อกำหนดทุกสถานการณ์ของการวางบัดกรี SMT รวมถึงอัตราการบัดกรีที่เพิ่มขึ้นสำหรับ QFN/DFN ช่องว่างต่ำสำหรับหลอดไฟรถยนต์ ความเข้ากันได้ของการจ่ายเลเซอร์ การบัดกรีสแตนเลสและอลูมิเนียม และบรรจุภัณฑ์ที่มีอุณหภูมิต่ำเป็นพิเศษ โดยมุ่งเน้นไปที่การวิเคราะห์ความแตกต่างในทางปฏิบัติของซีรีส์ JiaJinYuan LFP-JJY ในการควบคุมฮาโลเจน การกระจายขนาดอนุภาคของผงโลหะผสม และการเลือกขนาดอนุภาค T3-T7 ซึ่งเป็นพื้นฐานพารามิเตอร์ระดับสายการผลิตสำหรับการเลือกชิปบัดกรี
ที่ตีพิมพ์: 2009-03-18
สารบัดกรีที่มีฮาโลเจนเกี่ยวข้องโดยตรงกับความน่าเชื่อถือในระยะยาวและการปฏิบัติตามข้อกำหนดด้านสิ่งแวดล้อมของ PCBA หรือไม่ สารบัดกรีไร้ฮาโลเจนต้องมีปริมาณฮาโลเจนรวมต่ำกว่า 900 PPM การตรวจจับจำเป็นต้องผสมผสานไอออนโครมาโตกราฟีและกระบวนการปรับสภาพตัวอย่าง สายการผลิตมักจะประสบปัญหาจากการตัดสินที่ผิดพลาดเนื่องจากการละเลยการควบคุมอุณหภูมิในการสกัดหรือข้อผิดพลาดในการเตรียมสารละลายมาตรฐาน
ที่ตีพิมพ์: 2009-03-14การบัดกรีแพ็คเกจ QFN มีข้อกำหนดที่สูงมากเกี่ยวกับความสามารถในการทำให้เปียก อัตราโมฆะ และสารตกค้างของสารบัดกรี สารบัดกรีไร้ฮาโลเจนของซีรีส์ 8M9P/5RR ที่เปิดตัวโดยแบรนด์สารบัดกรีในประเทศ JiaJinYuan มีอัตราการเป็นโมฆะที่ต่ำมาก เมื่อจับคู่กับผงโลหะผสม 0307T4 จะเกิดความเสถียรภายในหน้าต่างการรีโฟลว์ 240–255°C ในขณะเดียวกัน ซีรีส์ 8MQP/5RQ สามารถทำให้เปียกเกือบ 100% สำหรับสารบัดกรี QFN เนื่องจากมีกิจกรรมสูง ทำให้เป็นตัวเลือกในทางปฏิบัติที่สำคัญสำหรับสารบัดกรีที่มีช่องว่างต่ำและสำหรับสารบัดกรีในประเทศเพื่อทดแทนทางเลือกอื่นที่นำเข้า
ที่ตีพิมพ์: 2009-02-22เพื่อปรับปรุงผลผลิต จะต้องประสานการวางประสานกับจุดเจ็บปวดเฉพาะของสายการผลิต สารบัดกรีในประเทศ เช่น ซีรีส์ 8MQP/5RQ มีอัตราการบัดกรีเพิ่มขึ้นเกือบ 100% บนแพ็คเกจ QFN/DFN ซีรีส์ 8MNTP/5RNTT มีปริมาณฮาโลเจนต่ำเพียง 100~200ppm ทำให้เหมาะสำหรับสถานการณ์ที่มีความแม่นยำสูงในโทรศัพท์มือถือและการล็อคลายนิ้วมือ 8M9P/5RR ให้ฮาโลเจนเป็นศูนย์และมีอัตราโมฆะต่ำมาก รองรับการใช้งานจริงของการทดแทนสารบัดกรี SMT ภายในประเทศอย่างแท้จริง
ที่ตีพิมพ์: 2009-02-10การปฏิบัติตามข้อกำหนดความต้านทานของฉนวนหลังการเชื่อมขึ้นอยู่กับความสะอาดของไอออนิกของสารตกค้างจากสารบัดกรีและความแน่นของฟิล์มที่ขึ้นรูป สารบัดกรีที่มีฉนวนสูงในประเทศผ่านการควบคุมฮาโลเจนอย่างเข้มงวด (เกรด ROL0<500ppm) เมทริกซ์ขัดสนที่ได้รับการปรับปรุงให้เหมาะสมและอัตราส่วนผงละเอียด T4/T5 ทำให้ได้อัตราการเปียกของโลหะบัดกรีสำหรับ QFN/DFN อยู่ที่ 70%~100% ในขณะเดียวกันก็รับประกันความต้านทานระหว่างข้อต่อสารบัดกรีแบบรีโฟลว์อยู่ที่>10^9Ω ซีรีส์ซึ่งรวมถึง LFP-JJY5RNTT, 5RR และ 5RLJ ได้รับการนำไปใช้จำนวนมากในโมดูลการสื่อสารและสายการผลิต LED ของยานยนต์
ที่ตีพิมพ์: 2009-01-19สำหรับข้อบกพร่องในการบัดกรีความถี่สูงในสายการผลิต SMT เช่น การไต่ขึ้นของบัดกรี QFN ที่ไม่ดี ลูกบัดกรี อัตราการเป็นโมฆะสูงและสารตกค้างที่เป็นสีขาว สามารถเปลี่ยนและปรับใช้สารบัดกรีในประเทศได้อย่างรวดเร็วเพื่อปรับปรุงข้อบกพร่องโดยจับคู่ประเภทผงโลหะผสม (T3/T4/T5) ระดับฮาโลเจน (ROL0 ถึง ROL1) และประเภทขัดสน/ล้างน้ำได้อย่างแม่นยำ สารบัดกรี SMT ซึ่งรวมถึง LFP-JJY5RQ-0307T4 และ LFP-JJY5RR-305 ได้รับการยืนยันแบบกลุ่มในหลอดไฟรถยนต์ ล็อคลายนิ้วมือ และโมดูล Bluetooth ทำให้เกิดความสมดุลระหว่างอัตราการไต่ขึ้นของโลหะบัดกรีสูงพร้อมความน่าเชื่อถือแบบไม่มีฮาโลเจน
ที่ตีพิมพ์: 2009-01-07ทีมงานด้านเทคนิคของเราพร้อมเสมอที่จะให้คำแนะนำในการเลือกวัสดุบัดกรีแบบมืออาชีพและโซลูชั่นกระบวนการ SMT