ปัญหาน่าปวดหัวที่ใหญ่ที่สุดในการติดตั้งลูกบอล BGA คือสารบัดกรีไม่สามารถปีนขึ้นไปถึงโคนของลูกบอลบัดกรี มีช่องว่างมากเกินไปหลังจากการรีโฟลว์ และยังมีไอออนิกตกค้างหลังการทำความสะอาด ดังนั้นเมื่อเลือกวางบัดกรียึดลูกบอล BGA คุณไม่สามารถดูเฉพาะจุดหลอมเหลวเท่านั้น คุณต้องตรวจสอบอย่างใกล้ชิดว่าการกระจายขนาดอนุภาคของผงโลหะผสมมีความเข้มข้นหรือไม่ ตัวพาฟลักซ์ขัดสนมีกิจกรรมเพียงพอหรือไม่ และปริมาณฮาโลเจนถูกควบคุมไว้ที่ระดับ ROL0 หรือไม่ ตัวอย่างเช่น LFP-JJY5RNTT-0307 ใช้ผงโลหะผสม 00507BN/T4 โดยมีความสูงของการบัดกรีที่สูงกว่า 95% อย่างเสถียร ในขณะที่สารตกค้างมีความโปร่งใสและไม่กัดกร่อนพื้นผิวทองแดง OSP ถูกนำมาใช้เพื่อการผลิตอย่างต่อเนื่องจำนวน 120,000 ยูนิตในการติดตั้งชิปบอล AP บนแพลตฟอร์มสมาร์ทโฟนเรือธงโดยไม่ต้องเปลี่ยนสเตนซิล

BGA ควบคุมหลักของสถานีฐานการสื่อสารมีข้อกำหนดที่เข้มงวดอย่างยิ่งในด้านความน่าเชื่อถือของวงจรความร้อน LFP-JJY5RR-0307 ครั้งหนึ่งเคยถูกใช้เพื่อทดแทนผลิตภัณฑ์แบรนด์ญี่ปุ่นบางยี่ห้อ ฮาโลเจน 0ppm ผสมกับผงโลหะผสม 305 ภายใต้โปรไฟล์การไหลย้อนที่มีอุณหภูมิสูงสุด 250°C และการแช่ตัว 90 วินาที ลดอัตราการเป็นโมฆะลงเหลือ 3.2% ซึ่งลดลง 1.8 จุดเปอร์เซ็นต์เมื่อเปรียบเทียบกับโซลูชันดั้งเดิม สิ่งสำคัญคือฟลักซ์จะระเหยได้อย่างสมบูรณ์ และไม่มีการรวมตัวของไมโครพอร์ปรากฏให้เห็นภายใต้การตรวจด้วยรังสีเอกซ์ สิ่งนี้ได้ประโยชน์จากการควบคุมฮาโลเจนระดับ ROL0 และความสม่ำเสมอของความหนาของฟิล์มออกไซด์ของผงโลหะผสมเกรด T4 0307

เมื่อข้อบกพร่องในการบัดกรีวงจรเปิดเกิดขึ้นระหว่างการติดตั้งลูกบอล BGA บนพื้นผิวอะลูมิเนียมในสายการผลิต สารบัดกรีชิปที่ล้างน้ำได้ LFP-JJY5RW5-0307 จะเข้ามามีบทบาท ประกอบด้วยระบบโลหะผสมคู่ SC07+0307 ซึ่งรับประกันแรงเปียกในขณะที่ยับยั้งการเติบโตของ IMC ที่มากเกินไปที่อินเทอร์เฟซอะลูมิเนียม หลังจากการบัดกรี การล้างด้วยน้ำบริสุทธิ์ที่อุณหภูมิ 50°C สองครั้งเป็นไปตามมาตรฐานการปนเปื้อนของไอออนิก <0> สำหรับสถานการณ์การติดตั้งลูกบอลเลเซอร์ ต้องใช้สารบัดกรีเฉพาะ เช่น LFP-JJY5RLJ-305 ผงโลหะผสมเกรด T6 305 มีขนาดอนุภาค D50=5.2μm และช่วงการกระจายที่แคบ รวมกับ <500ppm> สำหรับ BGA แสงระดับล่าง การใช้ LFP-JJY5RA-0307 จะสิ้นเปลืองอย่างเห็นได้ชัด ในกรณีนี้ LFP-JJY5MA-0307 จะเหมาะสมกว่า ใช้ผงเกรด T3 0307 ที่มีการออกแบบช่วงการหลอมเหลวที่กว้าง และยังคงสามารถสร้างพันธะทางโลหะวิทยาได้อย่างสมบูรณ์ในช่วง 235~255°C แรงเฉือนของข้อต่อบัดกรียังคงอยู่สูงกว่า 4.8N และมีราคาต่ำกว่าซีรีส์ RNTT ถึง 37% ทำให้เหมาะสำหรับการใช้งานแบบวางบัดกรีชิป เช่น ไอซีไดรเวอร์ LED ที่ไม่มีข้อกำหนดการเสื่อมสภาพในระยะยาวที่เข้มงวด