ความเสียหายจากความร้อนต่อตัวชิป BGA ในระหว่างกระบวนการติดตั้งลูกบอลทำให้เกิดปัญหาคอขวดมานานแล้ว โดยเฉพาะอย่างยิ่งในบรรจุภัณฑ์ที่มีระยะพิทช์ละเอียดต่ำกว่าระยะพิทช์ 0.4 มม. สารบัดกรี Sn96.5/Ag3.0/Cu0.5 แบบดั้งเดิมต้องใช้อุณหภูมิสูงสุดที่สูงกว่า 230°C เพื่อให้เกิดการไหลซ้ำที่เชื่อถือได้ ในขณะที่ CTE ที่ไม่ตรงกันระหว่างสารประกอบการขึ้นรูปชิปและซับสเตรตทำให้เกิดการขยายตัวเนื่องจากความร้อนไม่เข้ากัน หากรวมกับรอบการทำงานซ้ำหลายรอบ รอยแตกขนาดเล็กที่มองไม่เห็นมีแนวโน้มสูงที่จะก่อตัวที่ขอบของแผ่นเวเฟอร์ซิลิคอน ข้อบกพร่องดังกล่าวมักจะปรากฏขึ้นหลังจากการทดสอบอายุเท่านั้น ซึ่งขยายวงจรการร้องเรียนของลูกค้าโดยตรง

สารบัดกรีที่อุณหภูมิต่ำไม่ได้เป็นเพียงการลดจุดหลอมเหลวเท่านั้น แต่ยังเป็นการสร้างหน้าต่างปฏิกิริยาทางโลหะวิทยาขึ้นใหม่

ระบบที่ใช้งานของสารบัดกรี JJY LTS-215 ได้รับการตรวจสอบผ่านการวนซ้ำสายการผลิตสามครั้ง เพื่อให้มั่นใจว่าการตกตะกอนที่เพียงพอของเฟสยูเทคติกแบบไตรภาค SnBiAg ที่อุณหภูมิสูงสุด 185±3°C กราฟการระเหยของฟลักซ์และอัตราการเพิ่มความร้อนจะถูกจับคู่อย่างเคร่งครัดกับจังหวะการสลายตัวของปริมาณออกซิเจนภายใต้บรรยากาศไนโตรเจน ซึ่งไม่เพียงแต่หลีกเลี่ยงการบริดจ์เท่านั้น แต่ยังป้องกันการเกิดออกซิเดชันของทรงกลมและการทำให้ดำคล้ำอีกด้วย หลังจากที่ลูกค้าบางรายเปลี่ยนสารละลายอุณหภูมิสูงแบบเดิมด้วยสารบัดกรีนี้ในการติดตั้งลูกบอล CSP อัตราช่องว่างที่ตรวจพบโดยรังสีเอกซ์ลดลงจาก 12.7% เป็น 3.1% และอัตราการเตือนที่ผิดพลาด AOI ลดลง 40% พร้อมกัน

ต้องปรับความดันของปาดน้ำและความเร็วในการปล่อยตามลำดับ

ความหนืดของสารบัดกรีที่อุณหภูมิต่ำมีความไวต่ออุณหภูมิมากกว่า หากใช้แรงดันปาดน้ำเดิม 2.5kgf ด้วยความเร็วในการปล่อย 15 มม./วินาที สารบัดกรีที่ตามหลังมีแนวโน้มที่จะยังคงอยู่ที่รูลายฉลุ ส่งผลให้เส้นผ่านศูนย์กลางทรงกลมหลังติดลูกบอลมีการกระจายเกิน ±0.04 มม. ด้วยการลดแรงกดของไม้กวาดหุ้มยางลงเหลือ 1.8 กก. เพิ่มความเร็วในการปลดเป็น 22 มม./วินาที และปรับความตึงของลายฉลุจาก 38N/cm² เป็น 42N/cm² ไปพร้อมๆ กัน เราจึงได้กระแสเฉือนที่สม่ำเสมอมากขึ้นของสารบัดกรีภายในช่อง โดยค่า CV ความสูงของลูกบอลที่วัดได้ควบคุมได้อย่างเสถียรภายใน 5.3%

การออกแบบรูรับแสงของลายฉลุจะต้องตรงกันข้ามกับคุณสมบัติทางรีโอโลยีของสารบัดกรี

ดัชนีไทโซโทรปิกของ JJY สารบัดกรีซีรีส์ LTS คือ 4.8 ซึ่งสูงกว่าสารบัดกรีทั่วไปที่ 3.2 มาก ซึ่งหมายความว่ามีความแข็งแรงของโครงสร้างสูงเมื่ออยู่นิ่ง และมีแนวโน้มที่จะพังทลายลงระหว่างการพิมพ์ ดังนั้น จึงต้องใช้รูรับแสงสี่เหลี่ยมคางหมูแบบกลับหัวสำหรับการติดตั้งลูกบอลที่มีเส้นผ่านศูนย์กลาง 0.3 มม. โดยมีรูรับแสงด้านบน 0.32 มม. รูรับแสงด้านล่าง 0.28 มม. และมุมเทเปอร์ควบคุมที่ 8°±0.5° มิฉะนั้น หลังจากพิมพ์ติดต่อกัน 200 ครั้ง วงกลมมากกว่า 3 ทรงกลมจะเลื่อนบนกระดานลำดับที่ 198 โดยการเปลี่ยนแปลงจะเน้นที่ช่วง 15~22μm ซึ่งตกอยู่ที่ขอบของเกณฑ์การรับรู้ AOI ทุกประการ

มีความสัมพันธ์กันที่แข็งแกร่งระหว่างความเร็วของโซ่เตาอบ reflow และความบริสุทธิ์ของไนโตรเจน

เมื่อตั้งอุณหภูมิเตาอบไว้ที่จุดสูงสุดที่ 185°C หากความบริสุทธิ์ของไนโตรเจนต่ำกว่า 99.992% ออกซิเจนที่ตกค้างจะเร่งปฏิกิริยาออกซิเดชันที่พื้นผิวของธาตุ Bi ส่งผลให้ค่า Ra ความหยาบของพื้นผิวทรงกลมเพิ่มขึ้นเกิน 0.85μm อย่างกะทันหัน ณ จุดนี้ แม้แต่การลดความเร็วของโซ่จาก 120 ซม./นาที เหลือ 90 ซม./นาที ก็ไม่สามารถช่วยให้สถานการณ์ดีขึ้นได้ จำเป็นต้องเพิ่มความบริสุทธิ์ของไนโตรเจนเป็น 99.995% และขยายเวลาโซนการแช่ออกไป 8 วินาทีพร้อมกันเพื่อให้แน่ใจว่ามีการแพร่กระจายของอะตอมที่เพียงพอที่ส่วนต่อประสาน Sn-Bi ทำให้ค่าแรงเฉือนผันผวนรอบเส้นฐาน 32MPa ไม่เกิน 1.2MPa