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用於 BGA 植球製程的低溫焊膏解決方案,以保護 BGA 晶片體

用於 BGA 植球製程的低溫焊膏解決方案,以保護 BGA 晶片體

球安裝過程中 BGA 晶片主體的熱損壞長期以來一直是產量瓶頸,特別是在間距低於 0.4 毫米的細間距封裝中。傳統的Sn96.5/Ag3.0/Cu0.5焊膏需要高於230°C的峰值溫度才能實現可靠的回流,而晶片模塑料和基板之間的CTE不匹配導致熱膨脹不相容。如果結合多次返工週期,矽晶圓邊緣極有可能形成不可見的微裂紋。這類缺陷往往在老化測試後才顯現出來,直接延長了顧客投訴週期。

低溫焊膏不只是降低熔點,而是重構冶金反應窗口

JJYLTS-215焊膏的活性系統經過3次生產線迭代驗證,確保SnBiAg三元共晶相在185±3℃峰值溫度下充分析出。其通量揮發曲線和升溫速率與氮氣氣氛下氧含量衰減節奏嚴格匹配,不僅避免了橋連,而且防止了球體氧化和發黑。某客戶在CSP植球時更換原有的高溫方案後,X射線偵測的空洞率從12.7%下降到3.1%,AOI誤報率同時下降40%。

刮刀壓力和釋放速度必須同時調整

低溫焊膏的黏度對溫度比較敏感。如果使用原來的2.5kgf刮刀壓力和15mm/s的釋放速度,拖尾的焊膏很容易殘留在模板孔徑處,導致球安裝後的球體直徑偏差超過±0.04mm。透過將刮刀壓力降低至1.8kgf,將釋放速度提高至22mm/s,同時將鋼網張力從38N/cm²微調至42N/cm²,我們實現了焊膏在孔徑內的更均勻的剪切流動,測得的球高CV值穩定控制在5.3%以內。

模板孔徑設計必須與焊膏的流變特性成反比

JJYLTS系列焊膏的觸變指數為4.8,遠高於傳統焊膏的3.2。這意味著它在靜止狀態下具有很高的結構強度,並且在列印過程中容易倒塌。因此直徑0.3mm的球安裝必須採用倒梯形孔徑,上孔徑0.32mm,下孔徑0.28mm,錐角控制在8°±0.5°。否則,連續列印200次後,第198塊板上將有3個以上的球體發生偏移,偏移集中在15~22μm範圍內,正好落在AOI識別閾值的邊緣。

回流焊爐鏈速度和氮氣純度之間存在強烈的耦合關係

當烘箱溫度設定到185℃峰值時,如果氮氣純度低於99.992%,殘留的氧氣會加速Bi元素的表面氧化,導致球體表面粗糙度Ra值突然增加到0.85μm以上。此時,即使將鏈條速度從120cm/min降低到90cm/min也無法改善這種情況。需要將氮氣純度提高到99.995%,同時將均熱區時間延長8秒,以確保Sn-Bi界面處原子充分擴散,保持剪切強度圍繞32MPa基線波動不超過1.2MPa。

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