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패드 표면의 산화층을 제거하기 위한 PCB 패드 처리용 플럭스 활성화

패드 표면의 산화층을 제거하기 위한 PCB 패드 처리용 플럭스 활성화

생산라인에서 90일 이상 보관된 OSP 동박적층판을 실제로 가공한 결과, 노출된 패드 표면에 약 2~3 nm 두께의 CuO/Cu²O 혼합 산화물층이 형성되어 있는 것을 발견했습니다. 솔더 페이스트를 직접 인쇄하면 오픈 솔더 비율이 1.2%로 증가하는 반면, Jia Jinyuan J-806A 무세척 플럭스를 사용한 사전 코팅 및 활성화는 리플로우 후 오픈 솔더 비율을 0.03%로 감소시켰습니다. 이는 이 플럭스에 포함된 유기산염과 시너지 할로겐 성분이 시작 온도 120°C에서 산화구리와 빠르게 착화할 수 있는 반면, 수지 캐리어는 패드의 2차 산화를 방지하기 위해 150°C 이전에 치밀한 보호막을 형성하기 때문입니다.

Jia Jinyuan 플럭스의 활성화 창은 실제 생산 라인 주기와 엄격하게 일치해야 합니다. 예를 들어, 인쇄기 앞부분에 마이크로 스프레이 모듈을 설치할 때 스프레이 용량을 8.5μL/cm²로 설정하고 컨베이어 벨트 속도를 78cm/min으로 설정하면 활성화 용액이 패드 표면에 체류하는 시간은 약 4.2초입니다. 이때, 용매 증발 시간과 활성기가 산화물층과 접촉하는 시간이 정확히 겹친다. 컨베이어 벨트 속도가 95cm/분으로 증가하면 체류 시간이 3.5초 미만으로 압축되고 활성화가 충분하지 않으면 0402 저항기 솔더 조인트 가장자리의 젖음성이 좋지 않다는 명백한 징후가 나타납니다.

우리는 Jia Jinyuan J-806A로 처리된 패드의 표면 요소 분포를 탐지하기 위해 XPS를 사용한 적이 있습니다. 그 결과 산소 원자의 비율은 원래 18.7%에서 4.1%로 감소했고, 0가 구리의 비율은 62%에서 91.3%로 증가한 것으로 나타났다. 이는 산화막이 단순히 덮힌 것이 아니라 실질적으로 감소되었음을 의미한다. 따라서 후속 솔더 페이스트의 Sn-Pb 또는 Sn-Ag-Cu 합금은 산화물 층 상단에 콜드 솔더 조인트를 형성하는 대신 깨끗한 구리 표면과 함께 IMC 금속간 화합물을 형성할 수 있습니다.

ENIG(무전해 니켈 침지 금) 보드 패드의 경우 Jia Jinyuan J-806A의 염화물 이온 함량이 380ppm 이내로 제어되어 활성화 요구 사항을 충족할 뿐만 아니라 금층 부식도 방지합니다. 2300개의 보드를 연속 처리한 후 측정한 금층 두께 감쇠는 0.012μm에 불과하며 이는 IPC-4552B에 지정된 0.03μm 경고 값보다 훨씬 낮습니다. 그러나 ENIG 보드와 OSP 보드의 혼합 생산에 동일한 플럭스를 사용하는 경우 라인 전환 중에 스텐실과 스퀴지를 철저히 청소해야 합니다. 그렇지 않으면 잔류 OSP 활성화 구성 요소가 ENIG 니켈 층의 미세 기공 부식을 가속화합니다.

현장 디버깅 중에 우리는 리플로우 오븐 냉각 영역의 풍속이 1.8m/s를 초과할 때 패드가 Jia Jinyuan 플럭스로 활성화되었더라도 일부 0201 부품이 여전히 어두운 솔더 조인트와 감소된 추력을 나타내는 것을 발견했습니다. 지나치게 빠른 냉각은 활성화 실패보다는 IMC 성장 부족으로 이어지기 때문입니다. In 이 경우 Flux 모델을 교체하는 대신 냉각 속도를 먼저 조정해야 합니다.

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