ผู้ผลิตวางประสาน SMT
มุ่งเน้นไปที่กระบวนการบัดกรี SMT ซึ่งเป็นผู้ให้บริการโซลูชันการบัดกรีอิเล็กทรอนิกส์แบบครบวงจร
ที่นี่คุณจะได้พบกับความรู้เกี่ยวกับ วางประสานพลังงานใหม่รวมถึงแต่ไม่จำกัดเพียงวิธีการใช้งาน เทคนิคการติดตั้ง การแก้ไขปัญหา และอื่นๆ มุ่งเน้นไปที่กระบวนการบัดกรี SMT หากคุณไม่พบสิ่งที่คุณต้องการ โปรดติดต่อเราได้ตลอดเวลา
เพื่อแก้ไขปัญหาการแตกร้าวของข้อต่อบัดกรีที่เกิดจากความเครียดจากความร้อนที่เข้มข้นในการจัดเก็บพลังงาน แผงควบคุมอิเล็กทรอนิกส์พลังงานใหม่ในระหว่างรอบการปล่อยประจุบ่อยครั้ง ต้องเลือกสารบัดกรีที่มีความเหนียวสูง โมดูลัสยืดหยุ่นต่ำ และอายุการใช้งานของวงจรความร้อนที่ดีเยี่ยม สารบัดกรีพลังงานชนิดใหม่จะต้องผ่านการตรวจสอบการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิอย่างฉับพลันที่ -40°C ถึง 125° เป็นเวลามากกว่า 1,000 รอบ ในขณะที่สารบัดกรีที่น่าเชื่อถือจะเน้นย้ำถึงความสม่ำเสมอของชั้น IMC และความเสถียรของเฟส Cu6Sn5 ปริมาณโลหะ การกระจายขนาดอนุภาค และความเข้มข้นของไอออนฟลักซ์ตกค้างของสารบัดกรีร่วมกันกำหนดความต้านทานความล้าจากความร้อนในระยะยาว
ที่ตีพิมพ์: 2016-07-02เครื่องบัดกรีในประเทศประสบความสำเร็จในการควบคุมกระบวนการเต็มรูปแบบตั้งแต่การกำหนดสูตรวัสดุไปจนถึงความเสถียรของแบทช์ รองรับลูกค้าในการทดลองและสร้างต้นแบบตัวอย่างในปริมาณน้อย และได้รับการปรับให้เข้ากับสถานการณ์ต่างๆ อย่างกว้างขวาง เช่น โมดูล BMS สำหรับยานยนต์พลังงานใหม่ PCBA ที่มีความน่าเชื่อถือสูงสำหรับจอภาพทางการแพทย์ และบอร์ดชาร์จเร็วสำหรับผู้บริโภค สามารถรักษาความเสถียรในการพิมพ์ได้ 4 ชั่วโมงภายใต้การควบคุมอุณหภูมิเวิร์กช็อปที่ 25°C~30°C ดัชนี thixotropic ของสารบัดกรี Jia Jinyuan สูงถึง 0.72 โดยมีอัตราการคืนสภาพความหนืด ≤15% ตอบสนองความต้องการการพิมพ์อย่างละเอียดของส่วนประกอบ 0201 และ QFN ระยะพิทช์ 0.3 มม.
ที่ตีพิมพ์: 2015-10-22ด้วยการใช้ประโยชน์จากความสามารถด้านการวิจัยและพัฒนา ODM ของการบัดกรี JJY ได้พัฒนาครีมบัดกรีและแผ่นบัดกรีสำเร็จรูปที่มีอัตราการเป็นโมฆะต่ำ ฮาโลเจนเป็นศูนย์ และความต้านทานการไหลกลับที่อุณหภูมิสูงสำหรับสถานการณ์ต่างๆ เช่น อุปกรณ์ทางการแพทย์ การควบคุมอิเล็กทรอนิกส์ของยานพาหนะพลังงานใหม่ และโมดูลอุตสาหกรรมที่มีความน่าเชื่อถือสูง แรงกดของข้อต่อบัดกรีมีมากกว่า 85MPa และความหนาของชั้น IMC ถูกควบคุมภายในช่วง 1.2~1.8μm ซึ่งเป็นไปตามข้อกำหนดการรับรองคู่ของ ISO 13485 และ AEC-Q200
ที่ตีพิมพ์: 2014-09-13เพื่อจัดการกับปัญหาในสายการผลิตในการบัดกรีแผงวงจรพลังงานใหม่ เช่น การบัดกรีไม่ดี อัตราโมฆะสูง และสารตกค้างของฮาโลเจนที่มากเกินไป บทความนี้รวบรวมประสบการณ์ 20 ปีของประสบการณ์ SMT แนวหน้าเพื่อแนะนำสารบัดกรีในประเทศหลายรายการที่เหมาะสำหรับแพ็คเกจ QFN/DFN ระบบไฟส่องสว่างในรถยนต์ และโมดูลการสื่อสารที่มีความแม่นยำสูง ครอบคลุมสถานการณ์เฉพาะกลุ่ม เช่น สูตรฮาโลเจนเป็นศูนย์ ล้างด้วยน้ำได้ เฉพาะเลเซอร์ และสูตรที่อุณหภูมิต่ำพิเศษ โดยมุ่งเน้นไปที่การวิเคราะห์ประสิทธิภาพกระบวนการที่แท้จริงของซีรีส์ 8MQP/5RQ, 8M9P/5RR และ 8MW5/5RW5 เพื่อตอบสนองความต้องการหลักสามประการสำหรับสารบัดกรีพลังงานใหม่ สารบัดกรี PCB และสารบัดกรีในประเทศ
ที่ตีพิมพ์: 2009-04-05ทีมงานด้านเทคนิคของเราพร้อมเสมอที่จะให้คำแนะนำในการเลือกวัสดุบัดกรีแบบมืออาชีพและโซลูชั่นกระบวนการ SMT