อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทางการแพทย์กำหนดข้อกำหนดที่สูงมากเกี่ยวกับความน่าเชื่อถือในระยะยาวของข้อต่อบัดกรี ในระหว่างการบัดกรี ODM R&D สำหรับมาเธอร์บอร์ดตรวจสอบ ECG บางรุ่น เราพบว่าการบัดกรีแบบทั่วไปทำให้เกิดรอยแตกขนาดเล็กหลังจากรอบการระบายความร้อนหลายรอบ ดังนั้นเราจึงปรับปริมาณเงินอย่างละเอียดจาก 0.3% เป็น 0.5% ในขณะที่ลดปริมาณบิสมัทที่เติมเข้าไป ทำให้ช่วงการหลอมเหลวแคบลงเหลือช่วง 217–221°C เมื่อใช้ร่วมกับโปรไฟล์การรีโฟลว์ซึ่งมีอุณหภูมิสูงสุดที่ 235°C ภายใต้บรรยากาศไนโตรเจน อัตราโมฆะของรอยประสานขั้นสุดท้ายลดลงเหลือ ≤1.8% ซึ่งต่ำกว่าขีดจำกัดบนที่ลูกค้ากำหนดไว้ที่ 3.5% มาก
ประสานการวิจัยและพัฒนา ODM สำหรับแผงควบคุมหลัก BMS ในยานพาหนะพลังงานใหม่ ทำให้มีความต้องการความสม่ำเสมอของแบทช์มากยิ่งขึ้น ลูกค้าต้องการให้วางบัดกรีหนึ่งม้วนรักษาความเบี่ยงเบนของปริมาตร ±8% หลังจากพิมพ์บอร์ด 2000 แผ่นอย่างต่อเนื่อง ด้วยการปรับสภาพทรงกลมให้เหมาะสม (≥92%) และการกระจายขนาดอนุภาค (D50=25±1.2μm) รวมกับสูตรไล่ระดับของตัวปรับความหนืด เราจึงเพิ่มอัตราการปล่อยจาก 91% เป็น 99.3% โดยไม่ต้องเปลี่ยนแรงกดของไม้กวาดหุ้มยาง และความแม่นยำในการพิมพ์ที่วัดได้ CPK ยังคงเสถียรเหนือ 1.67
สำหรับข้อกำหนดไร้สารตะกั่วของอุปกรณ์ทางการแพทย์แบบฝัง ทีมวิจัยและพัฒนา ODM ได้ข้ามระบบ SAC305 โดยตรง และใช้โลหะผสมควอเทอร์นารี Sn-0.7Cu-0.05Ni-0.01Ge In โลหะผสม นิกเกิลนี้ยับยั้งการเจริญเติบโตมากเกินไปของชั้น IMC ที่ส่วนต่อประสานของสารตั้งต้นทองแดง ในขณะที่เจอร์เมเนียมช่วยเพิ่มความเร็วการทำให้เปียกของโลหะเหลว เมื่อวัดบนบอร์ด FR4+OSP มุมเปียกคือ <25° และหลังจากบ่มนาน 1,000 ชั่วโมงที่ 85°C/85%RH การลดทอนกำลังรับแรงเฉือนเพียง 4.2% ซึ่งครอบคลุมข้อกำหนดการตรวจสอบอายุการใช้งานของข้อต่อบัดกรีสำหรับวัสดุรากเทียมระยะยาวใน ISO 13485 ทั้งหมด
การวิจัยและพัฒนา Solder ODM สำหรับโมดูล OBC ของยานพาหนะจะต้องสร้างสมดุลระหว่างความต้านทานซัลไฟด์และความต้านทานการสั่นสะเทือน เราได้แนะนำอนุภาคผงทองแดงเคลือบซิงค์ซัลไฟด์ขนาดนาโนลงในเนื้อโลหะบัดกรี เมื่อพบฟลักซ์ที่ประกอบด้วยกำมะถันบนพื้นผิว PCB โครงสร้างนี้จะตอบสนองเป็นพิเศษเพื่อสร้างฟิล์มฟิล์ม ZnS เพื่อป้องกันไม่ให้การแปลง Cu6Sn5 เป็น Cu3Sn กลับไม่ได้ วัดหลังจากการกระแทก 1,500 รอบที่ความเร่ง 25G ไม่พบรอยแตกขนาดเล็กในข้อต่อบัดกรี และความผันผวนของความหนาของชั้น IMC ที่วัดโดยการตรวจสอบด้วยรังสีเอกซ์ยังคงอยู่ภายใน ±0.15μm
กระบวนการบัดกรี ODM R&D ทั้งหมดอิงตามวงปิดของการตอบรับสายการผลิตจริง ตัวอย่างเช่น ในระหว่างที่ลูกค้าร้องเรียนเกี่ยวกับข้อต่อบัดกรีเย็นบนตัวเหนี่ยวนำชิป เราได้นำ XRF แบบพกพามาที่เวิร์กช็อป SMT โดยตรง การวิเคราะห์ตัวอย่างแบบออนไลน์พบว่าสารกระตุ้นที่ตกค้างสูงในสารบัดกรีทำให้เกิดคาร์บอนไนซ์ของฟิล์มฉนวนหลังจากการบัดกรี เราได้ปรับอัตราส่วนของอนุพันธ์ของอนุพันธ์ของโรซินต่อกรดอินทรีย์ทันที ซึ่งช่วยลดค่าการปนเปื้อนของไอออนิกหลังการบัดกรีจาก 1.8μg/cm² เป็น 0.35μg/cm² ปัญหาได้รับการแก้ไขในคราวเดียวโดยไม่ทำให้เกิดการปิดสายการผลิตใดๆ
