Thiết bị điện tử y tế đặt ra yêu cầu cực kỳ cao về độ tin cậy lâu dài của mối hàn. Trong quá trình R&D hàn ODM cho một bo mạch chủ giám sát ECG nhất định, chúng tôi nhận thấy rằng miếng dán hàn thông thường đã phát triển các vết nứt nhỏ sau nhiều chu kỳ nhiệt. Do đó, chúng tôi đã tinh chỉnh hàm lượng bạc từ 0,3% xuống 0,5% đồng thời giảm lượng bismuth được thêm vào, thu hẹp phạm vi nóng chảy xuống khoảng 217–221°C. Kết hợp với cấu hình phản xạ lại có nhiệt độ cao nhất là 235°C trong môi trường nitơ, tỷ lệ rỗng của mối hàn Cuối cùng đã giảm xuống 1,8%, thấp hơn nhiều so với giới hạn trên yêu cầu của khách hàng là 3,5%.

Hàn ODM R&D cho bảng điều khiển chính BMS trong các phương tiện sử dụng năng lượng mới thậm chí còn đặt ra yêu cầu lớn hơn về tính nhất quán của lô. Khách hàng yêu cầu một Cuộn kem hàn phải duy trì độ lệch âm lượng ±8% sau khi In liên tục 2000 bảng. Bằng cách tối ưu hóa độ cầu ( ≥92%) và phân bố kích thước hạt (D50=25±1,2μm), kết hợp với công thức gradient của chất điều chỉnh độ nhớt, chúng tôi đã tăng tốc độ giải phóng từ 91% lên 99,3% mà không thay đổi áp suất vắt và độ chính xác In đo được CPK vẫn ổn định trên 1,67.

Đối với các yêu cầu không chứa chì của các thiết bị y tế cấy ghép, nhóm R&D hàn của ODM đã trực tiếp bỏ qua hệ thống SAC305 và sử dụng hợp kim bậc bốn Sn-0,7Cu-0,05Ni-0,01Ge. In hợp kim này, niken ngăn chặn sự phát triển quá mức của lớp IMC ở bề mặt tiếp xúc của chất nền đồng, trong khi germanium cải thiện tốc độ làm ướt của kim loại lỏng. Đo trên bảng FR4+OSP, góc thấm ướt là <25° và sau 1000 giờ lão hóa ở 85°C/85%RH, độ suy giảm cường độ cắt chỉ còn 4,2%, bao trùm đầy đủ các điều khoản xác minh tuổi thọ mối hàn cho vật liệu cấy ghép dài hạn trong ISO 13485.

Hàn ODM R&D cho các mô-đun OBC của xe phải cân bằng giữa khả năng chống sunfua hóa và khả năng chống rung. Chúng tôi đã đưa các hạt bột đồng được phủ kẽm sunfua có kích thước nano vào chất hàn. Khi gặp dư lượng chất trợ dung chứa lưu huỳnh trên bề mặt PCB, cấu trúc này sẽ phản ứng tốt hơn để tạo thành màng thụ động ZnS, ngăn chặn sự chuyển đổi không thể đảo ngược của Cu6Sn5 thành Cu3Sn. Được đo sau 1500 chu kỳ va đập ở gia tốc 25G, không quan sát thấy vết nứt nhỏ nào ở các mối hàn và độ dao động độ dày lớp IMC được đo bằng kiểm tra bằng tia X vẫn nằm trong khoảng ±0,15μm.

Tất cả các quy trình R&D hàn của ODM đều dựa trên một vòng khép kín phản hồi thực tế của dây chuyền sản xuất. Ví dụ: trong khi khách hàng phàn nàn về các mối hàn nguội trên Cuộn cảm chip, chúng tôi đã mang XRF di động trực tiếp đến xưởng SMT. Phân tích lấy mẫu trực tuyến cho thấy dư lượng chất kích hoạt cao trong kem hàn gây ra hiện tượng cacbon hóa màng cách điện sau khi hàn. Chúng tôi ngay lập tức điều chỉnh tỷ lệ dẫn xuất nhựa thông với axit hữu cơ, giảm giá trị ô nhiễm ion sau hàn từ 1,8μg/cm2 xuống 0,35μg/cm2. Sự cố đã được giải quyết một cách nhanh chóng mà không gây ra bất kỳ sự ngừng hoạt động dây chuyền sản xuất nào.