Trong quá trình hàn các thành phần chip 0402/0603 trên bo mạch OSP, tỷ lệ bia mộ đột ngột tăng lên 0,8%. Chúng tôi đồng thời quan sát thấy sự bất đối xứng về độ ẩm rõ ràng trên các mối hàn của tụ điện 0805, cho thấy rằng lực làm ướt không đủ của chất hàn đã vượt quá ngưỡng tới hạn, thay vì chỉ do sự dao động nhiệt độ bù đắp hoặc nhiệt độ nóng chảy lại gây ra. Phân tích cắt ngang sâu hơn cho thấy rằng một mặt của đầu cực hàn hoàn toàn không bị ướt, trong khi mặt còn lại có hiện tượng ướt tăng lên nhưng chỉ đạt dưới 1/3 chiều cao của đầu cực, xác nhận sự không khớp nghiêm trọng giữa năng lượng lan truyền của chất hàn dán trên màng OSP và hoạt động phản ứng bề mặt.

Lựa chọn dán hàn phải đồng thời đáp ứng các yêu cầu xung đột về hoạt động thấp và lực làm ướt cao. Sau khi ngừng sử dụng loại kem hàn loại RMA đã sử dụng trước đó, chúng tôi chuyển sang loại kem hàn có hoạt tính vừa phải có chứa hệ thống kích hoạt axit hữu cơ đặc Biệt. Chất mang gốc nhựa thông của nó có thể làm mềm màng hữu cơ OSP trong vùng ngâm nóng trước 150oC và hàm lượng halogen dư được kiểm soát trong phạm vi 300ppm, điều này vừa tránh ăn mòn lớp mạ vàng vừa đảm bảo tốc độ tiến của chất hàn làm ướt mặt trước. Ngoài ra, In, khẩu độ stencil đã được thay đổi từ tỷ lệ 1:1 thông thường sang thiết kế co ngót vào trong 0,92:1, giúp giảm 12% khối lượng dán hàn đồng thời cải thiện đáng kể tốc độ nhả bản In, ngăn chặn tình trạng xâu chuỗi mép dán hàn có thể làm tăng mô-men xoắn tạo hình.

Cấu hình chỉnh lại dòng phải giảm độ dốc gia nhiệt và kéo dài khoảng thời gian kích hoạt 145–165oC lên hơn 75 giây. Mặt khác, sự phân hủy nhiệt của màng OSP không đủ sẽ cản trở sự hình thành IMC giữa Sn và Cu. Thử nghiệm thực tế In, chúng tôi nhận thấy rằng khi nhiệt độ cao nhất của vùng ngâm dưới 152°C, góc làm ướt của cùng loại kem hàn LOT trên bảng OSP tăng trung bình 23°, trong khi không có thay đổi nào như vậy xảy ra trên bảng ENIG. Điều này trực tiếp xác minh sự khác Biệt cơ bản rằng cửa sổ phản ứng nhiệt của màng OSP hẹp hơn so với cửa sổ phản ứng nhiệt của bảng ENIG. Trong khi đó, tần suất làm sạch giấy nến đã tăng từ cứ 5 bảng lên cứ 3 bảng, vì bảng OSP nhạy cảm hơn với cặn hạt trong kem hàn và một sự cố nhiễm bẩn duy nhất có thể gây ra lỗi làm ướt cho 5 linh kiện liên tiếp.

Tất cả PCB đầu vào phải trải qua quá trình kiểm tra lấy mẫu độ bám dính màng OSP bằng máy kiểm tra cắt ngang + băng 3M trước khi đưa vào sản xuất. Nếu diện tích bong tróc vượt quá 15%, toàn bộ lô sẽ bị loại bỏ, vì màng lỏng lẻo sẽ làm trầm trọng thêm sự thâm nhập từ thông không đồng đều và làm tăng thêm sự khác Biệt về độ ướt của chất hàn. Đối với các bo mạch đã phát triển các mối hàn nguội, việc hàn lại chúng lần thứ hai đều bị nghiêm cấm. Trước tiên, chúng phải được làm nóng trước bằng súng hơi nóng ở 80oC trong 30 giây trước khi hàn lại cục bộ. Nếu không, khí nhiệt phân OSP còn sót lại sẽ thoát ra một cách tập trung trong quá trình gia nhiệt thứ cấp, thay vào đó sẽ gây ra nhiều khuyết tật hàn nguội trong kem hàn. Hồ sơ tại chỗ cho thấy sau khi triển khai bộ Biện pháp đối phó kết hợp này, tỷ lệ gây mê đã giảm từ 0,8% xuống 0,07% và chu trình loại bỏ tất cả các lô làm ướt bảng OSP kém đã được rút ngắn xuống còn trong vòng hai ca sản xuất.