In การวางตำแหน่ง SMT บอร์ดทองแดงหนามักจะประสบปัญหาความจุความร้อนขนาดใหญ่ของชั้นทองแดงและอุณหภูมิที่เพิ่มขึ้นล่าช้า ซึ่งต้องใช้การบัดกรี ODM R&D เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพการจับคู่ระหว่างหน้าต่างอุณหภูมิการเปิดใช้งานฟลักซ์และช่วงการหลอมโลหะผสม มิฉะนั้น อาจเกิดปัญหาต่างๆ เช่น อัตราโมฆะของรอยประสานที่มากเกินไป และชั้น IMC ที่บางและไม่ต่อเนื่องอาจเกิดขึ้นได้ In โปรเจ็กต์โมดูลพลังงานทองแดงหนา 8 ออนซ์ของ JiaJinYuan เราได้ลดอุณหภูมิของเหลวของโลหะผสม Sn96.5Ag3.0Cu0.5 ลงเหลือ 217.2°C ขณะเดียวกันก็ปรับค่า Tg ของเมทริกซ์ขัดสนจาก 68°C เป็น 62°C เพื่อให้ส่วนผสมออกฤทธิ์เริ่มปล่อยออกมาที่ 150°C ซึ่งครอบคลุมช่วงการดูดซับความร้อนที่สำคัญของบอร์ดทองแดงหนาตั้งแต่ 140°C ถึง 200°C

บอร์ดความถี่สูงกำหนดข้อกำหนดที่เข้มงวดมากขึ้นในการวิจัยและพัฒนา ODM ที่มีการบัดกรี จำเป็นไม่เพียงแต่ต้องควบคุม Cl เท่านั้น? เนื้อหาต่ำกว่า 30ppm แต่ยังเพื่อหลีกเลี่ยงการลดทอนสัญญาณความถี่สูงที่เกิดจากตัวกระตุ้นที่มีไนโตรเจน เราใช้ระบบคอมโพสิตกรดขัดสน-อินทรีย์ที่ได้รับการดัดแปลงเพื่อทดแทนตัวเร่งปฏิกิริยา DBU แบบเดิม ในขณะที่ตรวจสอบให้แน่ใจว่าแรงดึงของข้อต่อบัดกรีที่อุณหภูมิสูงสุด 230°C คือ ≥4.2N ความต้านทานของฉนวนพื้นผิวของ PCB จะยังคงอยู่สูงกว่า 1.8×1,011Ω ในย่านความถี่ 1GHz ข้อมูลนี้วัดจากซับสเตรต Rogers RO4350B ที่จัดทำโดยลูกค้าของ JiaJinYuan โดยไม่มีการแปลงทางทฤษฎีใดๆ

เพื่อจัดการกับปรากฏการณ์การกระเด็นของเม็ดบีดดีบุกซึ่งเกิดขึ้นได้ง่ายที่ขอบของแผ่นกระดานทองแดงหนา ทีมวิจัยและพัฒนา ODM บัดกรีได้กระชับผงโลหะ D50 จาก 25μm เป็น 22.3μm เพิ่มสัดส่วนของผงละเอียด -325 mesh เป็น 38% และเพิ่มปริมาณอนุพันธ์ของน้ำมันละหุ่งเติมไฮโดรเจนในยานพาหนะจาก 0.75wt% เป็น 0.92wt% ซึ่งขยายเวลาการฟื้นตัวของสารบัดกรีเป็น 0.8 วินาทีหลังจากถอดแรงดันปาดน้ำออก สิ่งนี้ไม่เพียงแต่ยับยั้งการลากที่ขอบของช่องเปิดของลายฉลุเท่านั้น แต่ยังหลีกเลี่ยงการแยกชิ้นส่วนที่ไม่ดีซึ่งเกิดจาก thixotropy ที่มากเกินไป

การวิเคราะห์โครมาโตกราฟีไอออนของสารตกค้างหลังจากการรีโฟลว์ของบอร์ดความถี่สูงแสดงให้เห็นว่ายอดตกค้างของกรดเซบาซิกในสูตรทั่วไปสูงถึง 12.6μg/cm2 ในขณะที่สูตรที่ปรับโดย ODM R&D ที่บัดกรีจะลดลงเหลือ ≤4.1μg/cm2 ซึ่งทำได้โดยการผสมกรดอะดิปิกและกรดอันเดอร์ไซเลนิกในอัตราส่วนโมลาร์ 1:0.65 และนำเอทิลีนไกลคอลโมโนบิวทิลอีเทอร์อะซิเตตในปริมาณเล็กน้อยเข้าสู่ระบบตัวทำละลาย มันสามารถระเหยได้เป็นพิเศษในระหว่างขั้นตอนการกักเก็บที่อุณหภูมิ 185°C และพาส่วนหนึ่งของสารตั้งต้นของเกลือกรดอินทรีย์ออกไป ซึ่งช่วยลดการสะสมของผลิตภัณฑ์จากการสลายตัวที่อุณหภูมิสูง

การวัดผลจริงในสายการผลิตของ JiaJinYuan แสดงให้เห็นว่าความสำเร็จด้านการวิจัยและพัฒนา ODM ของการบัดกรีนี้บรรลุผลการบัดกรีหลักที่ 99.23% บนบอร์ดไฮบริดความถี่สูง 6 ชั้น (รวมถึงทองแดงความถี่สูง 2 ออนซ์ + ชั้นกราวด์ทองแดงหนา 4 ออนซ์) ซึ่งเพิ่มขึ้น 1.6 เปอร์เซ็นต์เมื่อเทียบกับครีมบัดกรีที่นำเข้ามาใช้แต่แรก อัตราส่วนพื้นที่ว่างที่ตรวจพบโดยรังสีเอกซ์ที่ข้อต่อบัดกรีของอุปกรณ์ BGA ลดลงจาก 18.7% เป็น 9.3% และอัตราการเตือนที่ผิดพลาดของ AOI ลดลง 42% สิ่งนี้บ่งชี้ว่าการแก้ไขสูตรไม่เพียงแต่ปรับปรุงพันธะทางโลหะวิทยาเท่านั้น แต่ยังช่วยลดแหล่งสัญญาณรบกวนการรับรู้ด้วยแสงได้อย่างมากอีกด้วย