Khi đánh bóng lại chip BGA để hàn lại, nếu sử dụng kem hàn thông thường, các khoảng trống diện tích lớn thường lộ ra khi kiểm tra bằng tia X, đặc Biệt tập trung ở khu vực trung tâm của bóng hàn. Điều này cùng xảy ra do đường bay hơi bị cản trở của chất trợ dung trong kem hàn truyền thống, mật độ đóng gói của bột kim loại không đồng đều và các kênh thoát khí hạn chế trong quá trình hàn lại. Độ tương phản của In, chất hàn có độ rỗng thấp JJY JGY-850 tối ưu hóa tỷ lệ nhựa thông và sự phân bố kích thước hạt của bột thiếc hình cầu có kích thước micron, cho phép phân hủy chất trợ dung ổn định và theo giai đoạn, độ sụt của chất hàn có thể kiểm soát được, đồng thời làm ướt và lan rộng đủ kim loại lỏng ở nhiệt độ cao nhất là 245°C, do đó làm giảm đáng kể khả năng giữ lại bong bóng.

Các thử nghiệm trong dây chuyền sản xuất của chúng tôi về việc làm lại chip BGA 676 chân trong nước cho thấy rằng sau khi đánh bóng lại bằng kem hàn thông thường và phản xạ nitơ tiêu chuẩn, tỷ lệ khoảng trống trung bình của các mối hàn đạt 18,7%, với 43% mối nối có tỷ lệ khoảng trống vượt quá 15%. Sau khi chuyển sang dán hàn JJY JGY-850 và điều chỉnh đồng bộ áp suất ép thành 0,35MPa và tốc độ In thành 25mm/s, tỷ lệ rỗng trong cùng một mẻ lò giảm xuống còn 7,2% và 92% mối hàn có kích thước khoảng trống nhỏ hơn 10% đường kính của một viên Bi hàn. Điều này cho thấy mức độ phù hợp giữa các đặc tính lưu Biến của bản thân chất hàn và cửa sổ quy trình xác định trực tiếp ranh giới độ tin cậy của quá trình hàn lại.

Việc lựa chọn độ dày của giấy nến phải được xem xét phối hợp với hàm lượng kim loại và kích thước hạt của kem hàn. Ví dụ: khi sử dụng giấy nến cắt laser 0,12 mm cho BGA bước 0,3 mm, nếu tỷ lệ hợp kim Sn96.5Ag3.0Cu0.5 trong kem hàn thấp hơn 88,5% thì rất có thể xảy ra các vấn đề như độ nhả In kém và độ đồng nhất kém của chiều cao Bi hàn. Hàm lượng kim loại đo được của miếng dán hàn JJY JGY-850 là 89,2±0,3%. Với kích thước lỗ stencil 0,12mm được thiết kế bằng 0,8 lần đường kính Bi hàn, độ lệch thể tích kem hàn sau khi đánh bóng lại có thể được kiểm soát trong phạm vi ±4,5%, mang lại khả năng bảo vệ kép để ngăn chặn cầu nối hàn và khoảng trống trong quá trình hàn lại tiếp theo.

Nồng độ oxy trong khí quyển nitơ phải được theo dõi liên tục và duy trì ở mức dưới 100ppm. Mặt khác, ngay cả khi sử dụng chất hàn có độ rỗng thấp, chất hoạt động bề mặt của nó vẫn sẽ trải qua các phản ứng phụ với oxy dư ở nhiệt độ cao để tạo thành các oxit không bay hơi, từ đó cản trở việc làm ướt hoàn toàn chất hàn trên bề mặt miếng đệm và bóng hàn. Chúng tôi đã từng quan sát thấy sự phục hồi bất thường của tỷ lệ trống lên 13,6% trong một mẻ trong đó sự dao động lưu lượng nitơ của thiết bị khiến nồng độ oxy tăng lên 320ppm. Hiện tượng này ngay lập tức giảm xuống 7,4% sau khi độ ổn định của nguồn cung cấp khí được khôi phục, điều này khẳng định rằng hiệu suất của kem hàn phải được hỗ trợ bởi môi trường quy trình có thể kiểm soát được.

Không thể bỏ qua sự tích tụ ứng suất nhiệt trong quá trình hàn lại. Nếu cùng một chip BGA trải qua nhiều hơn ba hoạt động đánh bóng lại + chỉnh lại dòng, các vết nứt nhỏ sẽ dễ xảy ra ở bề mặt tiếp xúc giữa lá đồng đệm và đế PCB. Tại thời điểm này, các mối hàn dày đặc được hình thành bởi chất hàn có độ rỗng thấp sẽ khuếch đại hiệu ứng tập trung ứng suất. Do đó, chúng tôi quy định nghiêm ngặt rằng việc làm lại một con chip không được vượt quá hai lần và trước lần làm lại thứ hai, phải sử dụng thử nghiệm đầu dò bay để xác minh xem độ suy giảm độ bám dính của miếng đệm có vượt quá 17% giá trị ban đầu hay không. Chỉ khi đáp ứng tiêu chuẩn mới được phép tiếp tục sử dụng miếng dán hàn JJY JGY-850 cho hoạt động hàn lại.