สำหรับเมนบอร์ดสื่อสาร SMT ข้อบกพร่องที่น่ากลัวที่สุดคือข้อต่อบัดกรีเย็นและช่องว่าง โดยเฉพาะอย่างยิ่งการบัดกรีที่ไม่สมบูรณ์ไต่ขึ้นระหว่างแผ่นด้านล่างของแพ็คเกจ QFN และแผ่นระบายความร้อนบน PCB เมื่ออัตราการไต่ของโลหะบัดกรีหลังจากการรีโฟลว์ลดลงต่ำกว่า 85% การแตกหักของ IMC มีแนวโน้มที่จะเกิดขึ้นในระหว่างการเสื่อมสภาพที่อุณหภูมิสูงตามมา การทดสอบจริงของ In สารบัดกรีซีรีส์ JJY 8MNTTP/5RNTT ของเราสำหรับบอร์ดการสื่อสารมีอัตราการไต่ลวดบัดกรีมากกว่า 92% สำหรับแพ็คเกจ QFN ระยะพิทช์ 0.4 มม. สาเหตุนี้เป็นผลมาจากการทำงานร่วมกันของสูตรฮาโลเจนต่ำระดับ ROL0 (100~200ppm) และผงโลหะผสม 00507BN/T5 ซึ่งช่วยให้เกิดแรงตึงขณะเปียก ขณะเดียวกันก็ยับยั้งการเจริญเติบโตที่มากเกินไปของสารประกอบระหว่างโลหะ

หลังจากที่สายการผลิตเปลี่ยนมาใช้ LFP-JJY5RNTT-0307 เพื่อทดแทนหัวแร้งบัดกรีอุณหภูมิสูงที่นำเข้า ผลผลิตการพิมพ์เพิ่มขึ้นจาก 94.7% เป็น 98.3% สาเหตุหลักมาจากตัวพาสารขัดสนของสารบัดกรีในประเทศนี้มีความเหนียวที่ดีกว่าที่ขอบของรูลายฉลุ ความเข้มข้นของการกระจายขนาดอนุภาคของผง T4 นั้นสูงกว่าของ T3 ถึง 12% ส่งผลให้ขอบของการวางประสานลดลง 0.015 มม. หลังจากที่ไม้กวาดหุ้มยางผ่าน นี่เป็นสิ่งสำคัญอย่างยิ่งสำหรับบอร์ดสื่อสารที่มีสเตนซิลหนา 0.3 มม. และรูรับแสง 0.25 มม. มิฉะนั้นคลัสเตอร์ microvoid มีแนวโน้มที่จะก่อตัวที่มุม BGA หลังจากการรีโฟลว์

สารบัดกรีสำหรับบอร์ดสื่อสารต้องสร้างสมดุลระหว่างคุณลักษณะสารบัดกรีที่มีความน่าเชื่อถือสูงโดยสอดคล้องกับข้อกำหนด REACH ข้อมูลที่วัดได้สำหรับซีรีส์ 8M9P/5RR — ฮาโลเจนเป็นศูนย์ (0ppm) และอัตราโมฆะต่ำกว่า 1.8% — มาจากการวิเคราะห์ภาคตัดขวางโดยลูกค้าโมดูลออปติคัลหลังจากเกิดการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิอย่างฉับพลัน 500 รอบระหว่าง -40°C ถึง 125°C ชั้น IMC ที่เกิดขึ้นจากโลหะผสม 305/T4 ที่อุณหภูมิสูงสุด 245°C มีความหนาคงที่ที่ 3.2±0.4μm ซึ่งบางกว่าของ 8MQP/5RQ 0.6μm ภายใต้สภาวะเดียวกันแต่มีความต่อเนื่องที่ดีกว่า แสดงให้เห็นว่าฮาโลเจนต่ำไม่กระทบต่อความแข็งแรงของพันธะระหว่างผิว

วางประสานในประเทศไม่ได้เป็นเพียงพารามิเตอร์กองพะเนินเทินทึก ตัวอย่างเช่น แม้ว่า 8MTSP/5RTS จะมีฮาโลเจน <500ppm> เม็ดบีดบัดกรีถือเป็นข้อบกพร่องร้ายแรงเมื่อบอร์ดสื่อสารการเชื่อมด้วยเลเซอร์ สารบัดกรีอุณหภูมิสูงไร้สารตะกั่วด้วยเลเซอร์ซีรีส์ 5RLJ ในโหมดจ่ายวาล์วเจ็ต ใช้ผง 00507B2N/T6 เพื่อลดความหนืดในสถานะหลอมเหลว 18% เมื่อเทียบกับ 305/T4 ทั่วไป รวมกับ <500ppm>