การรีบอลของชิปนั้นไม่ง่ายอย่างที่คิด แค่ทาครีมประสานแล้วเรียกมันในแต่ละวัน ต้องใช้สารบัดกรีแบบรีบอลเพื่อทำให้ส่วนต่อประสานระหว่างแผ่นอิเล็กโทรดและลูกบอลบัดกรีชิปเปียกจนสุดในระหว่างกระบวนการรีโฟลว์ สิ่งนี้ต้องการให้สารบัดกรีบัดกรีแบบรีบอลต้องมีกิจกรรมสูงเพียงพอ หน้าต่างจุดหลอมเหลวของโลหะผสมที่จับคู่กันอย่างแม่นยำ และขนาดอนุภาคของผงโลหะผสมที่ละเอียดเพียงพอและกระจายอย่างสม่ำเสมอ มิฉะนั้น อาจเกิดข้อบกพร่องแบบแบตช์ เช่น ข้อต่อบัดกรีเย็น ลูกบัดกรี การไต่ระดับของบัดกรีไม่เพียงพอ หรืออัตราการเป็นโมฆะมากเกินไป In ในช่วงไม่กี่ปีที่ผ่านมา สารบัดกรีในประเทศได้ฝ่าฟันปัญหาคอขวดของกระบวนการต่างๆ ในระบบที่ปราศจากฮาโลเจนที่ใช้ขัดสน ตัวอย่างเช่น ซีรีส์ JJY 8MQP/5RQ ของเราใช้ผงโลหะผสมเกรด 0307 เกรด T4 จับคู่กับการควบคุมฮาโลเจนต่ำเกรด ROL1 (ทั้งสองรายการ <1500ppm) บนอุปกรณ์ QFN อัตราการปีนบัดกรีที่วัดได้สูงถึง 95%~99% ซึ่งสูงกว่าระดับทั่วไปของอุตสาหกรรมที่ 70%~85% มาก เบื้องหลังคือการเชื่อมต่อแบบลึกระหว่างส่วนประกอบที่ทำงานด้วยฟลักซ์และความสามารถในการขจัดฟิล์มออกไซด์บนผงโลหะ ซึ่งไม่สามารถแก้ไขได้ด้วยการเพิ่มปริมาณขัดสน

แพ็คเกจชิปที่แตกต่างกันมีข้อกำหนดด้านความไวต่อความร้อนที่แตกต่างกันอย่างมากสำหรับการรีบอลบัดกรี ชิปควบคุมหลักของสถานีฐานการสื่อสารจำเป็นต้องสร้างสมดุลระหว่างความเสถียรที่อุณหภูมิสูงและอัตราการเป็นโมฆะต่ำ In ในกรณีนี้ สูตรซีโรฮาโลเจน 8M9P/5RR แสดงให้เห็นข้อดีของมัน สารตกค้างฮาโลเจน 0ppm จับคู่กับจุดยูเทคติก 217°C ของผงโลหะผสม 305 ควบคุมอัตราการเป็นโมฆะอย่างเสถียรภายใน 3% ที่อุณหภูมิสูงสุด 245°C บนแพลตฟอร์มเดียวกัน แม้ว่า 8MTSP/5RTS จะมีกิจกรรมที่สูงกว่าเล็กน้อย แต่ปริมาณฮาโลเจนก็สูงถึง 500ppm หลังจากการเสื่อมสภาพในระยะยาว สารตกค้างที่เป็นไอออนิกสามารถกระตุ้นให้เกิดการลัดวงจรขนาดเล็กได้อย่างง่ายดาย ซึ่งได้รับการตรวจสอบซ้ำแล้วซ้ำอีกในการรีบอลชิปเรดาร์ของยานยนต์ ดังนั้น เมื่อเลือกผงบัดกรีแบบชิป เราไม่เพียงแต่ดูผลการบัดกรีเริ่มต้นเท่านั้น แต่ยังสรุปค่าเกณฑ์ฮาโลเจนแบบย้อนกลับตามความต้องการอายุการใช้งานและโหมดความล้มเหลวของผลิตภัณฑ์ขั้นสุดท้ายอีกด้วย

ชิปที่มีความหนาแน่นสูงและละเอียด เช่น โมดูลลายนิ้วมือของโทรศัพท์มือถือ มีข้อกำหนดที่เข้มงวดอย่างยิ่งสำหรับคุณสมบัติทางรีโอโลยีและความโปร่งใสของสารตกค้างของสารบัดกรีแบบรีบอล 8MNTP/5RNTT ไม่เพียงแต่ลดฮาโลเจนให้เหลือระดับ 100~200ppm ROL0 เท่านั้น แต่ที่สำคัญกว่านั้น ยังแนะนำผงโลหะผสมเจือด้วยนิกเกิลคู่ 00507BN และ 00507B2N บนพื้นฐานของผงละเอียดเกรด T5 ยังยับยั้งการเจริญเติบโตที่มากเกินไปของสารประกอบอินเตอร์เมทัลลิกในระหว่างการรีโฟลว์ เพื่อหลีกเลี่ยงไม่ให้ข้อต่อบัดกรีเปราะ ในขณะเดียวกัน สารตกค้างจะโปร่งใสและไม่ส่งผลต่อการรับรู้ด้วยแสงของ AOI สิ่งนี้ได้รับการพิสูจน์แล้วในการผลิตจำนวนมากของรุ่นเรือธงของ Huawei บางรุ่น เพื่อลดอัตราการทำงานซ้ำลง 0.18 เปอร์เซ็นต์ ผง T3/T4 ทั่วไป แม้ว่าจะเป็นไปตามมาตรฐานกิจกรรม แต่ก็มักจะทำให้เกิดผลบวกลวงและพลาดการตรวจสอบเนื่องจากมีสารตกค้างสีขาว

การรีบอลด้วยเลเซอร์กำลังกลายเป็นวิธีการหลักสำหรับการซ่อมแซม BGA และการซ่อมแซมไมโครเซ็นเซอร์ สารบัดกรีแบบดั้งเดิมมีแนวโน้มที่จะกระเด็นหรือก่อตัวเป็นลูกประสานภายใต้การให้ความร้อนด้วยเลเซอร์ในทันที อย่างไรก็ตาม ซีรีส์ 8MLJ จะปรับจุดอ่อนตัวของขัดสนและดัชนีไทโซทรอปิก ช่วยให้การบัดกรีสามารถรักษาความเสถียรของรูปร่างในระหว่างการให้ความร้อนแบบพัลส์ระดับ 10ms เมื่อจับคู่กับผงละเอียดพิเศษเกรด T6/T7 ทำให้สามารถบัดกรีแบบไร้ลูกบัดกรีได้ วัดภายใต้กระบวนการคอมโพสิตของการจ่ายเจ็ทวาล์ว + เลเซอร์อินฟราเรด อัตราผลตอบแทนการผ่านครั้งแรกของการรีบอล QFN ขนาด 0.3 มม. สูงถึง 99.2% ซึ่งสูงกว่า 8MQP/5RQ ทั่วไป 1.7 เปอร์เซ็นต์ นี่แสดงให้เห็นว่าสารบัดกรีในประเทศได้ย้ายจากระยะ"ใช้งานได้" ไปสู่ระยะ"การปรับให้เหมาะสมเฉพาะทาง" Chip Solder Paste ไม่ใช่วัสดุสิ้นเปลืองทั่วไปอีกต่อไป แต่เป็นองค์ประกอบกระบวนการหลักที่ต้องมีการจับคู่แบบกำหนดเองตามประเภทอุปกรณ์ วิธีการให้ความร้อน และวัสดุซับสเตรต