Việc đánh lại chip không đơn giản như chỉ bôi kem hàn và kết thúc một ngày. Nó đòi hỏi phải dán chất hàn hàn lại để làm ướt hoàn toàn bề mặt tiếp xúc giữa các miếng đệm và các viên Bi hàn chip trong quá trình hàn lại. Điều này đòi hỏi kem hàn reballing phải có hoạt tính đủ cao, cửa sổ điểm nóng chảy hợp kim phù hợp chính xác và kích thước hạt bột hợp kim đủ mịn và phân bố đều. Nếu không, có thể xảy ra các lỗi hàng loạt như mối hàn nguội, bóng hàn, độ leo của chất hàn không đủ hoặc tốc độ làm mất hiệu lực quá mức có thể xảy ra. In những năm gần đây, kem hàn trong nước đã vượt qua nhiều nút thắt trong quy trình trong các hệ thống không chứa halogen dựa trên nhựa thông. Ví dụ: dòng JJY 8MQP/5RQ của chúng tôi sử dụng bột hợp kim 0307 cấp T4, kết hợp với điều khiển halogen thấp cấp ROL1 (cả hai hạng mục đều <1500ppm). Trên các thiết bị QFN, tốc độ tăng độ hàn đo được đạt 95%~99%, vượt xa mức chung của ngành là 70%~85%. Đằng sau điều này là sự kết hợp sâu giữa các thành phần hoạt tính từ thông và khả năng loại bỏ màng oxit trên bột kim loại, điều này không thể giải quyết được bằng cách tăng hàm lượng nhựa thông.

Các gói chip khác nhau có yêu cầu về độ nhạy nhiệt rất khác nhau để đánh bóng lại miếng dán hàn. Các chip điều khiển chính của trạm gốc truyền thông cần cân bằng độ ổn định ở nhiệt độ cao và tốc độ trống thấp. In trong trường hợp này, công thức không halogen 8M9P/5RR cho thấy những ưu điểm của nó. Dư lượng halogen 0ppm của nó, kết hợp với điểm eutectic 217oC của bột hợp kim 305, kiểm soát ổn định tốc độ hòa tan trong vòng 3% ở nhiệt độ cao nhất là 245oC. Trên cùng một nền tảng, mặc dù 8MTSP/5RTS có hoạt tính cao hơn một chút nhưng hàm lượng halogen của nó đạt tới 500ppm. Sau khi lão hóa trong thời gian dài, dư lượng ion có thể dễ dàng tạo ra các mạch ngắn vi mô, điều này đã được xác minh nhiều lần trong quá trình lắp lại chip radar ô tô. Do đó, khi lựa chọn miếng dán hàn chip, người ta không thể chỉ nhìn vào hiệu ứng hàn ban đầu mà còn suy ra ngược ngưỡng halogen dựa trên yêu cầu về tuổi thọ và chế độ hỏng hóc của sản phẩm Cuối cùng.

Các chip mật độ cao, bước sóng nhỏ như mô-đun vân tay của điện thoại di động có các yêu cầu cực kỳ nghiêm ngặt đối với các đặc tính lưu Biến và độ trong suốt của dư lượng của chất hàn hàn lại. 8MNTTP/5RNTT không chỉ giảm halogen xuống mức ROL0 100~200ppm mà quan trọng hơn là nó giới thiệu bột hợp kim pha tạp niken kép 00507BN và 00507B2N. Trên cơ sở bột mịn loại T5, nó tiếp tục ngăn chặn sự phát triển quá mức của các hợp chất liên kim loại trong quá trình nóng chảy lại, tránh hiện tượng giòn ở mối hàn. Trong khi đó, cặn trong suốt và không ảnh hưởng đến khả năng nhận dạng quang học của AOI. Điều này đã được chứng minh trong quá trình sản xuất hàng loạt một mẫu máy chủ lực nhất định của Huawei giúp giảm tỷ lệ làm lại 0,18 điểm phần trăm. Bột T3/T4 thông thường, ngay cả khi đáp ứng tiêu chuẩn hoạt động, thường gây ra kết quả dương tính giả và bỏ sót việc kiểm tra do dư lượng màu trắng.

Đánh bóng lại bằng laser đang trở thành phương pháp chủ đạo để làm lại BGA và sửa chữa cảm Biến vi mô. Kem hàn truyền thống rất dễ bị bắn tung tóe hoặc hình thành các quả bóng hàn dưới tác dụng đốt nóng tức thời của tia laser. Tuy nhiên, dòng 8MLJ điều chỉnh điểm làm mềm nhựa thông và chỉ số thixotropic, cho phép chất hàn dán duy trì sự ổn định hình dạng trong quá trình gia nhiệt xung ở mức 10ms. Được kết hợp với bột siêu mịn cấp T6/T7, nó đạt được hiệu quả hàn không có bóng hàn. Được đo theo quy trình tổng hợp phân phối van phản lực + tia laser hồng ngoại, hiệu suất vượt qua lần đầu của QFN bước 0,3mm đạt 99,2%, cao hơn 1,7 điểm phần trăm so với 8MQP/5RQ thông thường. Điều này cho thấy kem hàn trong nước đã chuyển từ giai đoạn “sử dụng được” sang giai đoạn “chuyên dụng tối ưu”. Kem hàn chip không còn là vật tư tiêu hao thông thường mà là một thành phần quy trình cốt lõi đòi hỏi sự kết hợp tùy chỉnh theo loại thiết bị, phương pháp gia nhiệt và vật liệu nền.