Các mạch ngắn mạch bắc cầu hàn trên IC bước cao đã trở thành một khiếm khuyết tần số cao trong sản xuất hàng loạt các gói QFN và LGA có bước sóng dưới 0,4mm. Bản chất của nó không phải là khối lượng chất hàn quá mức mà là sự không ổn định trong dòng cắt của chất hàn trong khẩu độ stencil và độ nhớt của chất hàn là thông số đặc tính vật lý cốt lõi điều chỉnh hành vi dòng chảy này. Các phép đo của chúng tôi cho thấy rằng khi độ nhớt của chất hàn dán giảm xuống dưới 320Pa·s, chất hàn dán dễ dàng bị đùn ra khỏi các thành bên của khuôn tô trong giai đoạn ép chổi cao su, tạo thành giai đoạn bắc cầu ban đầu; đặc Biệt ở góc vắt 30° và tốc độ In 80mm/s, tốc độ bắc cầu hàn tăng 2,7 lần. Ngược lại, nếu độ nhớt vượt quá 380Pa·s, tỷ lệ lỗi khi In sẽ tăng lên 18%, dẫn đến sự tồn tại chung của các khoảng trống của miếng đệm và các mối hàn nguội.

Kem hàn dòng MSP-728 mà chúng tôi chủ yếu quảng bá có chỉ số thixotropic được kiểm soát ổn định ở mức 0,62±0,03. Giá trị này có được từ thử nghiệm lưu Biến và sàng lọc 127 nhóm hệ thống từ thông khác nhau và tỷ lệ bột hình cầu, cho phép nó thể hiện độ nhớt thấp và tính lưu động cao tại thời điểm In bằng chổi cao su để đảm bảo tốc độ lấp đầy khe hở và nhanh chóng phục hồi độ bền kết cấu sau khi giải phóng để ngăn chặn hiện tượng sụt giảm. Trong điều kiện độ rộng khẩu độ 0,3 mm và độ dày stencil 0,12 mm, hệ số Biến thiên khối lượng In đo được (giá trị CV) chỉ là 4,1%, tốt hơn đáng kể so với mức trung bình chung của ngành là 5,8%, nghĩa là giảm khoảng 37 lỗi cầu hàn IC bước nhỏ do Biến động khối lượng hàn xảy ra trên một nghìn PCB.

Độ dốc bay hơi dung môi của chất hàn này đã được thiết kế lại. Hệ thống hỗn hợp ethanol/terpineol kéo dài thời gian sấy ban đầu lên 95±5 giây, mang lại khoảng thời gian cửa sổ dài hơn 22 giây so với các công thức thông thường. Điều này trực tiếp hỗ trợ độ ổn định của chu kỳ vị trí của các máy chọn và đặt trong bố cục bảng mật độ cao, tránh hiện tượng cầu nối hàn gây ra do bù chốt do sự co rút nhẹ của miếng dán hàn sau khi đặt linh kiện. In xác minh của chúng tôi trên dây chuyền sản xuất MCU cấp ô tô, khi khoảng thời gian giữa vị trí và phản xạ nhiệt được kéo dài từ 120 giây đến 180 giây, không quan sát thấy sự khác Biệt có ý nghĩa thống kê về tỷ lệ khuyết tật cầu hàn, cho thấy rằng hệ thống độ nhớt này có dung sai quy trình mạnh hơn.

Các tình huống áp dụng rõ ràng hướng đến việc hàn IC bước nhỏ với bước chân chốt 0,4mm và nhỏ hơn, bao gồm nhưng không giới hạn ở các loại gói như TQFP-128, QFN-48 và LGA-100. Nó đặc Biệt thích hợp cho các cấu hình quy trình có tỷ lệ khẩu độ stencil laser ≥1:1,2 và khẩu độ hình thang ngược. Khi dây chuyền sản xuất sử dụng phản xạ nitơ với nhiệt độ cao nhất được đặt ở 235±3oC, tốc độ lan truyền ướt và điểm kết thúc co ngót của kem hàn này là tối ưu, ngăn chặn xác suất cặn bắc cầu đến mức PPM. Tuy nhiên, nếu được sử dụng trên các bo mạch đồng OSP trần trong môi trường có độ ẩm bảo quản >60%RH, mô-đun giám sát độ ẩm phần làm nóng trước phải được bật đồng thời; nếu không, hơi ẩm trong kem hàn sẽ bốc hơi trong giai đoạn gia nhiệt ban đầu và làm xáo trộn hoạt động kết tụ của các quả cầu hàn nóng chảy.

Trong quá trình lựa chọn, phải đo đường cong suy giảm độ nhớt động của chất hàn trong các điều kiện khuôn mẫu mục tiêu và không thể chỉ dựa vào các giá trị danh nghĩa của nhà sản xuất. Bởi vì sau khi để cùng một mẻ kem hàn ở nhiệt độ phòng 30°C trong 4 giờ, độ nhớt Biểu kiến ​​của nó ở tốc độ quay 60 vòng/phút sẽ giảm 9,3% và sau 200 lần In liên tiếp trên dây chuyền sản xuất, nhiệt độ tăng lên ở khu vực chổi cao su sẽ khiến độ nhớt cục bộ giảm thêm 5,1%. Do đó, nên xác minh bằng máy đo lưu Biến Brookfield RVDV-III trước phần đầu tiên của mỗi ca. Nếu giá trị đo được sai lệch quá ±8% so với phạm vi 350±30Pa·s thì thời gian khuấy phải được điều chỉnh hoặc thay thế lô. Tuyệt đối cấm buộc phải sửa chữa bằng cách thêm chất pha loãng, vì chất pha loãng hữu cơ sẽ làm hỏng cấu trúc mạng thixotropic không thể phục hồi, dẫn đến sự sụp đổ tính nhất quán của In ấn sau đó.