Điểm hạn chế về năng suất của hàn SMT cho chip BGA/QFN thường không nằm ở độ chính xác của vị trí hoặc đặc tính nhiệt độ nóng chảy lại, mà nằm ở lực liên kết vốn có của chính chất hàn dán chống lại sự hình thành khoảng trống. JJY Kem hàn JL-808 có độ nhớt 780 Pa·s ở 25°C và chỉ số thixotropic là 0,72. Đặc tính lưu Biến này cho phép nó lấp đầy hoàn toàn khoảng trống 0,2mm dưới QFN dưới áp suất của chổi cao su, đồng thời duy trì đủ độ kết dính trong giai đoạn nóng chảy lại sớm để ngăn chặn sự thoát hơi từ thông đi lên.

Khẩu độ của stencil phải phù hợp với đặc tính lưu Biến của chất hàn

Chúng tôi đã từng sử dụng cùng một loại kem hàn JL-808 với các thông số In giống hệt nhau để so sánh các giấy nến cắt bằng laze dày 0,12 mm và 0,15 mm. Chúng tôi nhận thấy rằng khuôn tô 0,12mm thể hiện rõ ràng là lượng chất hàn không đủ trong vùng bước QFN 0,4mm, dẫn đến tỷ lệ khoảng trống là 19,7% đối với các mối hàn cạnh sau khi hàn lại. Độ tương phản In, khuôn tô 0,15mm kết hợp với khẩu độ hình thang 25μm đã giảm tỷ lệ khoảng trống xuống 7,2%. Điều này chỉ ra rằng chất hàn mịn hơn không nhất thiết có nghĩa là hàn dễ dàng hơn; Chìa khóa nằm ở sự thích ứng động giữa các kích thước hình học của khẩu độ stencil và giá trị năng suất của chất hàn.

Khí quyển nitơ không phải là một giải pháp phổ quát, nhưng nó có thể khuếch đại sự khác Biệt của chất hàn

Khi sử dụng miếng dán hàn JJY JL-808 trong lò phản xạ nitơ có hàm lượng oxy là 200ppm, tốc độ trống trung bình của thiết bị bước BGA 0,8mm thấp hơn 3,8 điểm phần trăm so với trong môi trường không khí. Tuy nhiên, sau khi chuyển sang loại kem hàn cạnh tranh, lợi ích về nitơ chỉ là 1,1 điểm phần trăm. Có thể thấy rằng những ưu điểm về công thức của kem hàn có độ rỗng thấp chỉ có thể được thực hiện đầy đủ trong môi trường oxy hóa được kiểm soát; Thay vào đó, việc thêm nitơ một cách mù quáng có thể che giấu những khuyết điểm vốn có của chất hàn.

Đường nối hệ thống sưởi Reflow phải cho phép miếng dán hàn"bắt kịp hơi thở"

Sau khi làm chậm tốc độ tăng nhiệt trước từ 1,8°C/s xuống 1,2°C/s, hình thái khoảng trống được hình thành bởi miếng dán hàn JL-808 trong QFN đã thay đổi từ các khoang lớn liên kết với nhau thành các khoảng trống vi mô riêng Biệt. Điều này là do quá trình gia nhiệt chậm hơn cho phép dung môi từ thông bay hơi theo từng giai đoạn, tránh sự bay hơi tập trung tại điểm quan trọng của sự sụp đổ của chất hàn có thể làm vỡ màng hàn nóng chảy. Sự thay đổi này có thể thấy rõ trên mặt cắt ngang của tia X và không phụ thuộc vào bất kỳ quá trình bù trừ bổ sung nào.

Chất cặn làm sạch có thể làm giảm hiệu suất của khoảng trống

Dây chuyền sản xuất từng sử dụng nhầm chất tẩy rửa gốc nước để làm sạch PCBA sau khi hàn bằng chất hàn JL-808. Kết quả là, các vết nứt nhỏ hình vòng đã được tìm thấy ở bề mặt tiếp xúc Bi hàn trong quá trình làm lại thiết bị BGA. Phân tích EDS xác nhận rằng điều này là do phản ứng thứ cấp giữa dư lượng muối amin hữu cơ trong chất tẩy rửa và chất kích hoạt halogen trong kem hàn. Sau khi chuyển sang quy trình không sạch, độ lặp lại khoảng trống được cải thiện 23%, cho thấy hiệu suất Cuối cùng của miếng dán hàn có độ rỗng thấp phụ thuộc nhiều vào khả năng tương thích của chuỗi quy trình hỗ trợ.