Giải pháp hàn SMT

Cung cấp giải pháp toàn diện cho các vấn đề về quy trình hàn SMT. Cung cấp miễn phí các vật liệu hàn như kem hàn, dây hàn và que hàn. Chia sẻ kiến ​​thức về quy trình hàn SMT. Theo dõi chúng tôi tại JiaJinYuan để tìm hiểu thêm thông tin liên quan.

Dịch vụ
Tài liệu kỹ thuật

การวิจัยและพัฒนา ODM และการปรับแต่งสูตรบัดกรีใหม่สำหรับการปรับกระบวนการเชื่อมแบบพิเศษ

การวิจัยและพัฒนา ODM และการปรับแต่งสูตรบัดกรีใหม่สำหรับการปรับกระบวนการเชื่อมแบบพิเศษ

ในระหว่างการวิจัยและพัฒนา ODM การบัดกรีสำหรับลูกค้าโมดูลสร้างภาพทางการแพทย์ เราพบว่า Sn96.5Ag3.0Cu0.5 แบบเดิมมีแนวโน้มสูงที่จะเกิดการกระเด็นและการทำให้เปียกไม่สม่ำเสมอในกระบวนการพ่นเจ็ตติ้งด้วยเลเซอร์บัดกรี เหตุผลก็คือช่วงการหลอมเหลวกว้างถึง 15°C และฟลักซ์ตกค้างไม่สามารถสลายตัวได้เต็มที่ภายใต้การให้ความร้อนระดับมิลลิวินาที ดังนั้น เฟสปฐมภูมิของโลหะผสมจะต้องได้รับการควบคุมใกล้กับจุดยูเทคติก Sn-Ag และต้องมีปริมาณ Bi เล็กน้อยเพื่อบีบอัดช่วงการหลอมเหลวให้อยู่ภายใน 8°C โดยจับคู่กับตัวพาผสมที่ใช้ขัดสนที่มีการไล่ระดับอุณหภูมิการระเหยที่ตรงกัน

การบัดกรีแบบรีโฟลว์แบบสุญญากาศทำให้มีข้อกำหนดที่สูงขึ้นเกี่ยวกับความไวของออกซิเจนของโลหะบัดกรี ด้วยการประสาน ODM R&D เราได้ปรับเนื้อหา Ag เป็น 2.8% และเพิ่ม 0.015% Ge ซึ่งไม่เพียงแต่ยับยั้งการงอกใหม่ของ SnO เท่านั้น ฟิล์มภายใต้ระดับสุญญากาศ 4×10?3Pa แต่ยังหลีกเลี่ยงการเกิดการเปราะของรอยประสานที่เกิดจากการตกตะกอน Ag?Sn หยาบ สูตรนี้ดำเนินการอย่างต่อเนื่องในสายการผลิตบรรจุภัณฑ์ของเครื่องตรวจจับ CT ในประเทศเป็นเวลา 12 เดือน โดยมีอัตราการผ่านของบทความแรกคงที่ที่ 99.73% และอัตราส่วนพื้นที่ว่างต่ำกว่า 8.2%

เพื่อจัดการกับความยากลำบากในการแพร่กระจายของโลหะบัดกรีบนการชุบ Cu/Ni/Au เรามุ่งเน้นที่การปรับจลนพลศาสตร์ของปฏิกิริยาระหว่างผิวหน้าให้เหมาะสมในระหว่างขั้นตอนการวิจัยและพัฒนา ODM ของการบัดกรี เราปรับแต่งเนื้อหา Cu เป็น 0.72% และเพิ่ม 0.008% P เพื่อควบคุม Ni?Sn? ความหนาของชั้น IMC ภายในช่วง 0.3–0.5μm สิ่งนี้ไม่เพียงแต่รับประกันความต้านทานแรงเฉือนที่มากกว่า 22MPa แต่ยังป้องกันข้อบกพร่องของแผ่นสีดำที่เกิดจากการละลายของโลหะวิทยาอีกด้วย ปัจจุบันสูตรนี้ใช้สำหรับการบัดกรีแผ่นหลายชั้น Au/Ni/Cu ในโมดูลส่วนหน้า 5G RF

กระบวนการบีบอัดด้วยความร้อนที่อุณหภูมิต่ำต้องใช้การบัดกรีเพื่อทำให้พลาสติกเสียรูปและพันธะโลหะที่อุณหภูมิ 130°C เราละทิ้งระบบ Sn-Bi ทั่วไป และนำระบบยูเทคติกแบบไตรภาค Sn-In-Zn มาใช้ ในระหว่างการวิจัยและพัฒนา ODM เราได้ล็อคอัตราส่วน In ไว้ที่ 48.5% และควบคุม Zn ที่ 1.2% โดยจับคู่กับสารเติมแต่งกระตุ้นการทำงานของซิงค์ออกไซด์ระดับนาโน ทำให้สามารถเปียกได้เต็มที่ภายใต้สภาวะ 128°C/3MPa/60s โดยมีความต้านทานแรงเฉือน 14.6MPa วัสดุชุดนี้ผ่านการทดสอบวงจรความร้อน 1,500 ครั้งในช่วงอุณหภูมิ -40°C ถึง 125°C โดยไม่เกิดการแตกร้าว

สูตรบัดกรีใหม่ทั้งหมดผ่านการตรวจสอบการจำแนกประเภทกิจกรรมฟลักซ์ J-STD-004B โดยมีปริมาณฮาโลเจนต่ำกว่า 300ppm การทดสอบ XRF ยืนยัน Pb<5ppm และ Cd<2ppm แต่ละชุดจะมีเส้นโค้งจุดหลอมเหลว DSC และรายงานการวิเคราะห์พื้นผิว SEM+EDS พร้อมข้อมูลที่เชื่อมต่อโดยตรงกับระบบ MES ของลูกค้า โดยไม่มีคำอธิบายเพิ่มเติมหรือส่วนขยายทางทฤษฎีใดๆ

บทความที่เกี่ยวข้อง

กลับไปที่รายการ

สินค้าแนะนำ

LFP-5RNTT-305 สารบัดกรีอุณหภูมิสูงไร้สารฮาโลเจน ไร้สารตะกั่ว

LFP-5RNTT-305 สารบัดกรีอุณหภูมิสูงไร้สารฮาโลเจน ไร้สารตะกั่ว

LFP-JJY5RNTT-305 สารบัดกรีอุณหภูมิสูงไร้สารฮาโลเจนไร้สารตะกั่วใช้มาตรฐาน Sn96.5Ag3.0Cu0.5

LFP-5RTS-305 สารบัดกรีอุณหภูมิสูงไร้สารฮาโลเจน ไร้สารตะกั่ว

LFP-5RTS-305 สารบัดกรีอุณหภูมิสูงไร้สารฮาโลเจน ไร้สารตะกั่ว

LFP-JJY5RTS-305T3 QFN ปลอดสารฮาโลเจน ตะกั่วบัดกรีอุณหภูมิสูงเฉพาะ ผลิตจากอุณหภูมิต่ำ

LFP-5RR-305 Zero-Halogen REACH ตะกั่วบัดกรีอุณหภูมิสูงไร้สารตะกั่ว

LFP-5RR-305 Zero-Halogen REACH ตะกั่วบัดกรีอุณหภูมิสูงไร้สารตะกั่ว

LFP-JJY5RR-305 สารบัดกรีอุณหภูมิสูงปราศจากฮาโลเจนไร้สารตะกั่วสำหรับหลอดไฟรถยนต์โดยเฉพาะผลิตขึ้น