ในระหว่างการเชื่อมจริงของแผงป้องกันแหล่งจ่ายไฟเก็บพลังงานบนสายการผลิต เราพบว่าหากหน้าต่างอุณหภูมิที่ใช้งานของตัวบัดกรีโมดูลจัดเก็บพลังงานแคบเกินไป จะทำให้ข้อต่อบัดกรีเปียกเฉพาะจุดที่ด้านล่างของโมดูล IGBT ในพื้นที่จุดสูงสุดของการไหลกลับ โดยเฉพาะอย่างยิ่งเมื่อแผ่น PCB เป็นกระบวนการ OSP และเก็บไว้นานกว่า 72 ชั่วโมง ตัวประสาน JiaJinYuan ยังสามารถรักษาอัตราคุณสมบัติการเชื่อมประสานประสานได้มากกว่า 86% โดยอาศัยระบบกระตุ้นการทำงานของกรดอินทรีย์ที่ปล่อยช้าๆ ในขณะที่ตัวประสานธรรมดาลดลงเหลือ 61% นี่แสดงให้เห็นว่าอุณหภูมิเริ่มต้นของการสลายตัวเนื่องจากความร้อนของฟลักซ์บัดกรีที่ตกค้างจะต้องสูงกว่า 185°C เพื่อหลีกเลี่ยงการปนเปื้อนแบบคาร์บอไนเซชันของอุปกรณ์ระบายความร้อน
ความยากในการเชื่อมของโมดูลพลังงานอินเวอร์เตอร์อยู่ที่ความแตกต่างของความจุความร้อนที่เกิดจากโครงสร้างการกระจายความร้อนสองด้าน พื้นผิว DBC ด้านบนจะร้อนขึ้นอย่างรวดเร็ว ในขณะที่พื้นผิวอะลูมิเนียมด้านล่างจะร้อนขึ้นอย่างช้าๆ หากช่วงการหลอมเหลวของโลหะบัดกรีโมดูลเก็บพลังงานกว้างเกินไป (เช่น สูงกว่า 10°C) จะทำให้ข้อต่อบัดกรีด้านบนเข้าสู่การรีโฟลว์ในขณะที่ชั้นล่างยังไม่ละลาย จึงทำให้เกิดการบัดกรีเสมือนและแรงเฉือนลดลง เครื่องบัดกรี JiaJinYuan ควบคุมจุดยูเทคติกของโลหะผสม Sn96.5Ag3.0Cu0.5 อย่างแม่นยำที่อุณหภูมิ 217.2°C บีบอัดช่วงการหลอมเหลวให้อยู่ภายใน 1.8°C และทำงานร่วมกับหน้าต่างกระบวนการที่มีปริมาณออกซิเจน ≤100ppm ภายใต้บรรยากาศไนโตรเจน เพื่อให้แรงขับของข้อต่อบัดกรีสองด้านมีเสถียรภาพที่ 42.3±1.7N
In การผลิตจำนวนมาก ครั้งหนึ่งเราเคยทำให้การโยกย้ายไอออนของวงจรสุ่มตัวอย่าง AFE บนแผงป้องกันล้มเหลว เนื่องจากการใช้บัดกรีที่มีฮาโลเจนในทางที่ผิด จากการตรวจสอบพบว่าระยะการแพร่กระจายของคลอไรด์ไอออนตามขอบของข้อต่อบัดกรีสูงถึง 87μm หลังจากบ่มที่อุณหภูมิ 85°C/85%RH เป็นเวลา 168 ชั่วโมง ในขณะที่ตัวบัดกรี JiaJinYuan ใช้ระบบคอมเพล็กซ์เอมีนอินทรีย์ที่ปราศจากฮาโลเจน และระยะการแพร่กระจายเพียง 9μm ภายใต้เงื่อนไขเดียวกัน และอัตราการลดน้ำหนักที่วัดได้ของ TGA ที่ 250°C นั้นต่ำกว่า 0.13% ทำให้มั่นใจได้ว่า ความมั่นคงในระยะยาวของช่องทางการรับสัญญาณ BMS
ระยะเวลาในการเก็บเข้าลิ้นชักที่อุณหภูมิห้องหลังการจัดวางและก่อนการรีโฟลว์มีผลกระทบอย่างมากต่อประสิทธิภาพของตัวบัดกรีโมดูลจัดเก็บพลังงาน เมื่อช่วงเวลาดังกล่าวเกิน 4 ชั่วโมง ฟิล์มออกไซด์บนพื้นผิวของแผ่น OSP จะหนาขึ้นเป็น 4.2 นาโนเมตร ในขณะนี้ หากแรงตึงผิวของโลหะบัดกรีไม่ต่ำกว่า 225mN/m ก็ไม่สามารถทำให้ฟิล์มแตกได้อย่างมีประสิทธิภาพ เครื่องบัดกรี JiaJinYuan ช่วยลดแรงตึงผิวแบบไดนามิกเป็น 218mN/m โดยการเพิ่มปริมาณเล็กน้อยขององค์ประกอบบิสมัท ในขณะที่รักษาเวลาการคงตัวเหนือเส้น liquidus ไว้ไม่เกิน 65 วินาที หลีกเลี่ยงการละลายแผ่นทองแดงมากเกินไปทำให้ข้อต่อบัดกรีเปราะ
เราได้ตรวจสอบค่าสัมประสิทธิ์ของการแปรผันของจำนวนการสะสมของโลหะบัดกรีในการพิมพ์ของชุดต่างๆ ของโลหะบัดกรี JiaJinYuan ภายใต้ช่องเปิดลายฉลุเดียวกัน และผลลัพธ์จะถูกควบคุมภายใน 5.3% เสมอ ซึ่งดีกว่า 8.7% ของโลหะบัดกรีทั่วไปมาก ซึ่งหมายความว่าแม้ในการเชื่อมชิปการจัดการการจัดเก็บพลังงานด้วยแพ็คเกจ QFN ระยะพิทช์ละเอียด 0.15 มม. การเชื่อมประสานและข้อบกพร่องของการบัดกรีที่ไม่เพียงพอก็สามารถกำจัดได้ โดยเฉพาะอย่างยิ่งเมื่อตั้งค่าความเร็วของโซ่เตาอบ reflow ไว้ที่ 1.1 ม./นาที และโซนอุณหภูมิตั้งไว้ที่ 150-180-217-235°C อัตราโมฆะที่ตรวจพบโดยเอ็กซ์เรย์ข้อต่อบัดกรีจะเสถียรที่ 8.4±1.2%
