Trong quá trình hàn thực tế các bảng bảo vệ nguồn lưu trữ năng lượng trên dây chuyền sản xuất, chúng tôi nhận thấy rằng nếu cửa sổ nhiệt độ hoạt động của vật hàn mô-đun lưu trữ năng lượng quá hẹp, điều này sẽ dẫn đến tình trạng làm ướt cục bộ các mối hàn ở dưới cùng của mô-đun IGBT trong khu vực đỉnh nóng chảy lại. Đặc Biệt khi miếng đệm PCB được xử lý OSP và được lưu trữ trong hơn 72 giờ, chất hàn JiaJinYuan vẫn có thể duy trì tỷ lệ chất lượng cầu nối mối hàn trên 86% nhờ hệ thống kích hoạt axit hữu cơ giải phóng chậm, trong khi chất hàn thông thường giảm xuống 61%. Điều này cho thấy nhiệt độ bắt đầu phân hủy nhiệt của cặn chất hàn phải cao hơn 185°C để tránh ô nhiễm cacbon hóa cho các thiết bị nhiệt.
Khó khăn khi hàn của mô-đun nguồn Biến tần nằm ở sự chênh lệch công suất nhiệt do cấu trúc tản nhiệt hai mặt mang lại. Lớp nền DBC phía trên nóng lên nhanh chóng trong khi lớp nền nhôm phía dưới nóng lên chậm. Nếu phạm vi nóng chảy của chất hàn mô-đun lưu trữ năng lượng quá rộng (chẳng hạn như trên 10°C), nó sẽ khiến các mối hàn phía trên bắt đầu nóng chảy lại trong khi lớp dưới vẫn chưa tan chảy, do đó gây ra sự suy giảm lực cắt và hàn ảo. Chất hàn JiaJinYuan kiểm soát chính xác điểm eutectic của hợp kim Sn96.5Ag3.0Cu0.5 ở 217,2°C, nén phạm vi nóng chảy trong vòng 1,8°C và hợp tác với cửa sổ xử lý có hàm lượng oxy 100ppm trong môi trường nitơ, do đó lực đẩy của các mối hàn hai mặt ổn định ở mức 42,3±1,7N.
In, chúng tôi từng gây ra lỗi di chuyển ion của mạch lấy mẫu AFE trên bảng bảo vệ do sử dụng sai chất hàn có chứa halogen. Đánh giá cho thấy khoảng cách khuếch tán của các ion clorua dọc theo mép của mối hàn đạt 87μm sau khi lão hóa ở 85°C/85%RH trong 168 giờ, trong khi chất hàn JiaJinYuan sử dụng hệ thống phức hợp amin hữu cơ không chứa halogen và khoảng cách khuếch tán chỉ là 9μm trong cùng điều kiện và tỷ lệ giảm trọng lượng đo được của TGA ở 250°C thấp hơn 0,13%, đảm bảo độ ổn định lâu dài của việc thu tín hiệu BMS kênh.
Thời gian duy trì ở nhiệt độ phòng sau khi đặt và trước khi hàn lại có tác động lớn đến hiệu suất của vật hàn mô-đun lưu trữ năng lượng. Khi khoảng thời gian vượt quá 4 giờ, màng oxit trên bề mặt tấm OSP sẽ dày lên tới 4,2nm. Tại thời điểm này, nếu sức căng bề mặt của vật hàn không dưới 225mN/m thì nó không thể phá vỡ màng một cách hiệu quả. Chất hàn JiaJinYuan làm giảm sức căng bề mặt động xuống 218mN / m bằng cách thêm một lượng nguyên tố bismuth, đồng thời giữ thời gian lưu trú trên đường chất lỏng không quá 65 giây, tránh sự hòa tan quá mức của miếng đồng gây ra hiện tượng giòn mối hàn.
Chúng tôi đã xác minh hệ số Biến đổi của lượng lắng đọng chất hàn In của các lô chất hàn JiaJinYuan khác nhau trong cùng một lỗ mở khuôn mẫu và kết quả luôn được kiểm soát trong phạm vi 5,3%, tốt hơn nhiều so với 8,7% của chất hàn thông thường. Điều này có nghĩa là ngay cả khi hàn các chip quản lý lưu trữ năng lượng với gói QFN bước nhỏ 0,15mm, hiện tượng cầu hàn và các khuyết tật hàn không đủ có thể được loại bỏ. Đặc Biệt khi tốc độ chuỗi lò phản xạ được đặt thành 1,1m/phút và vùng nhiệt độ được đặt thành 150-180-217-235°C, tốc độ rỗng được phát hiện bằng tia X mối hàn ổn định ở mức 8,4±1,2%.
