Trong bối cảnh bao bì tiên tiến liên tục phát triển theo hướng số lượng I/O cao, bước cao và BGA kích thước lớn, việc làm trống mối hàn đã trở thành một nút thắt chính hạn chế cải thiện năng suất. In Các ứng dụng BGA có bước Bi 0,4 mm và nhỏ hơn, kem hàn truyền thống thường có tỷ lệ mất hiệu lực quá cao do đường bay hơi từ thông bị hạn chế và tính lưu động nóng chảy của hợp kim không đủ, từ đó dẫn đến tập trung ứng suất nhiệt và nguy cơ nứt mối hàn. Dựa trên nhiều năm kinh nghiệm trong công thức kem hàn không chì gốc nhựa thông, Jia Jinyuan đã phát triển loại kem hàn có độ rỗng thấp dòng 8M9P/5RR không chứa halogen, tuân thủ REACH. Sản phẩm này sử dụng thiết kế tổng hợp của bột hợp kim 0307 cấp T4 và chất mang hoạt tính có độ bay hơi thấp được chế tạo đặc Biệt, đạt được độ nhớt ở trạng thái nóng chảy được tối ưu hóa trong cửa sổ phản xạ tiêu chuẩn 240oC–255oC, cho phép khí phân hủy từ thông thoát ra hiệu quả dọc theo các vi kênh cài sẵn, từ đó kiểm soát ổn định tốc độ trống trong vòng 3% trong khi vẫn duy trì độ ẩm cao.

Miếng dán hàn này đã vượt qua quá trình xác minh toàn bộ chuỗi quy trình của mô-đun BGA 12 lớp PCB + 1600 bóng tại nhà sản xuất OSAT hàng đầu trong nước, bao gồm toàn bộ quy trình In, đặt miếng dán hàn SPI, hàn nóng chảy lại được bảo vệ bằng nitơ và kiểm tra lần Cuối bằng tia X/AOI. Dữ liệu đo được cho thấy tốc độ bắc cầu hàn giảm 62%, các lô có khoảng trống tia X vượt quá giới hạn (>15%) giảm xuống 0, thời gian làm lại trung bình trên mỗi bảng giảm 4,8 phút và hiệu suất tổng thể của lần vượt qua đầu tiên tăng từ 92,7% trước khi xác minh lên 99,1%. Phản hồi của khách hàng chỉ ra rằng nó thể hiện tính nhất quán leo lên của mối hàn tuyệt vời và độ ổn định hình thái mối hàn trong cả hai kịch bản FCCSP bước 0,3 mm và BGA bước 0,4 mm, đồng thời vẫn có thể duy trì tỷ lệ bao phủ ướt trên 98%, đặc Biệt là trên bề mặt đệm niken-palađi-vàng (ENEPIG).

Kem hàn dòng 8M9P/5RR tiếp tục hệ thống đặt tên LFP-JJY của Jia Jinyuan, trong đó 5RR đại diện cho mã công thức nhiệt độ cao không chứa halogen, tương thích với các hệ thống hợp kim không chì phổ Biến như Sn96.5Ag3Cu0.5 (305) và Sn99Ag0.3Cu0.7 (0307). Nó được kết hợp với bột kim loại có độ tinh khiết cao cấp T3/T4 với độ cầu ≥90% và hàm lượng oxy <150ppm, đảm bảo sự cân bằng giữa hiệu suất nhả bản In và khả năng chống sụt, đồng thời đáp ứng các yêu cầu nghiêm ngặt của IPC J-STD-005B về độ sạch ion cặn và khả năng chống cách điện. Dư lượng halogen loại ROL0 (được đo <50ppm) cũng dành lộ trình nâng cấp cho các tình huống có độ tin cậy cao chẳng hạn như mô-đun radar sóng milimet trên ô tô.

Hiện tại, loại kem hàn có độ rỗng thấp này đã bước vào vòng giới thiệu lô nhỏ thứ hai tại nhiều nhà máy đóng gói và thử nghiệm, đồng thời đang được điều chỉnh đồng bộ với các thông số của van phản lực và thiết bị phân phối van trục vít, hỗ trợ mở rộng lề cửa sổ quy trình dưới In stencil khẩu độ 0,15mm và độ chính xác vị trí ± 0,05mm. In trong tương lai, nó sẽ tối ưu hóa hơn nữa mô hình phản ứng lưu Biến dán hàn cho BGA bước cực mịn dưới 0,2mm dựa trên phản hồi của khách hàng, liên tục tăng cường khả năng thích ứng vật liệu trong bao bì tích hợp không đồng nhất Chiplet.