Khi xác minh hiệu suất cách điện của quy trình dán hàn không sạch, chúng tôi phải kết hợp đồng thời thử nghiệm ô nhiễm ion (phương pháp ROSE) và thử nghiệm điện trở cách điện bề mặt (SIR) vào các Biện pháp kiểm soát thông thường, vì chỉ kiểm tra trực quan hoặc riêng AOI không thể xác định được dòng điện rò rỉ ở mức microampe gây ra bởi dư lượng từ thông. Sự rò rỉ như vậy không Biểu hiện dưới dạng lỗi ở nhiệt độ phòng, nhưng sẽ trực tiếp dẫn đến hỏng chức năng trong môi trường nhiệt độ cao và độ ẩm cao.
Kiểm tra ô nhiễm ion áp dụng phương pháp tiêu chuẩn IPC-TM-650 2.3.25, sử dụng isopropanol để tách cặn khỏi bề mặt PCB, sau đó chuyển độ dẫn điện thành NaCl tương đương. Khi giá trị đo được của bảng sau khi In và hàn lại bằng chất hàn không sạch vượt quá 1,56μg/cm2 NaCl tương đương, thì phải dừng dây chuyền ngay lập tức để điều tra xem lô dán hàn, thiết kế khẩu độ stencil hoặc luồng không khí ở vùng làm mát lò nung lại có bất thường hay không; nếu không, các phán đoán sai về mạch hở lẻ tẻ sẽ xảy ra trong quá trình thử nghiệm CNTT tiếp theo hoặc tỷ lệ vượt qua bài kiểm tra chức năng sẽ giảm.
Để thử nghiệm SIR, bảng điện cực hình lược tiêu chuẩn cho IPC-TM-650 2.6.3.3 được chọn, với 100V DC liên tục được áp dụng trong môi trường 85oC/85%RH và sự thay đổi trở kháng được theo dõi trong 72 giờ. Nếu một loại kem hàn không sạch nào đó có xu hướng trở kháng giảm xuống dưới 1 × 10?Ω tại giờ thử nghiệm thứ 48, điều đó cho thấy rằng các thành phần hoạt tính dựa trên nhựa thông hoặc dư lượng axit hữu cơ của nó không bị thụ động hoàn toàn. Tại thời điểm này, ngay cả khi bề ngoài không có vệt trắng hoặc vết dính thì nó cũng không thể được sử dụng cho các sản phẩm có độ tin cậy cao như ứng dụng y tế hoặc ô tô.
Chúng tôi từng phát hiện trên dây chuyền sản xuất hàng loạt của một khách hàng ở Đông Quan rằng tỷ lệ hở mạch CNTT của một lô kem hàn không sạch sau khi hàn lại đột ngột tăng 0,3%. Ban đầu, người ta nghi ngờ giường kim thử tiếp xúc kém. Sau này, các PCB có cùng số PN được chia thành hai nhóm và lắp ráp bằng hai loại kem hàn không sạch lần lượt là A và B. Kết quả là chỉ có nhóm A có hiện tượng hở mạch lặp đi lặp lại. Phân tích cắt ngang sâu hơn đã xác nhận rằng có một lớp đường di chuyển ion mỏng ở dưới cùng của BGA. Cuối cùng người ta xác định rằng các dẫn xuất axit sebacic có trong kem hàn A kết tủa và được làm giàu khi tốc độ làm nguội quá chậm. Chi tiết này chỉ có thể được tiết lộ thông qua xác minh theo dõi kép về ô nhiễm ion SIR +.
Tất cả dữ liệu kiểm tra chất hàn dán phải được ràng buộc và ghi lại theo thời gian thực với độ căng của giấy nến, áp suất của chổi cao su, nhiệt độ đỉnh nóng chảy lại và độ tinh khiết nitơ của lô tương ứng. Bởi vì đối với cùng một loại kem hàn không sạch, sự khác Biệt về mức độ oxy hóa cặn trong điều kiện nồng độ nitơ 99,99% và 99,95% sẽ khiến kết quả thử nghiệm SIR dao động theo hai bậc độ lớn và những Biến động đó hoàn toàn bị che lấp trong quá trình kiểm tra vật liệu đầu vào thông thường.
Tuyên bố trong TDS do nhà cung cấp kem hàn cung cấp rằng"tuân thủ J-STD-004" chỉ là một ngưỡng cơ bản. Điều thực sự xác định độ tin cậy cách điện của quy trình không sạch là đường cong SIR và báo cáo dư lượng ion được tạo ra trên dây chuyền sản xuất của riêng bạn bằng cách sử dụng giấy nến thực, nhiệt độ lò thực và bố cục bảng PCB thực. Đừng tin vào bảng thông số; hãy tin tưởng vào các con số do máy kiểm tra ROSE đó đưa ra trong phòng có nhiệt độ không đổi trong xưởng của bạn.
