โซลูชั่นการเชื่อม SMT

มอบโซลูชั่นแบบครบวงจรสำหรับปัญหากระบวนการบัดกรี SMT เสนอวัสดุบัดกรีฟรี เช่น ครีมบัดกรี ลวดบัดกรี และแท่งบัดกรี แบ่งปันความรู้เกี่ยวกับกระบวนการบัดกรี SMT ติดตามเราได้ที่ JiaJinYuan เพื่อเรียนรู้ข้อมูลที่เกี่ยวข้องเพิ่มเติม

บริการ
เอกสารทางเทคนิค

ลูกประสาน: ข้อบกพร่องทั่วไปในตำแหน่ง SMT, จุดบัดกรีทรงกลมที่เกิดจากบัดกรีส่วนเกิน

ลูกประสาน: ข้อบกพร่องทั่วไปในตำแหน่ง SMT, จุดบัดกรีทรงกลมที่เกิดจากบัดกรีส่วนเกิน

การก่อตัวของลูกบอลบัดกรีไม่เคยเกิดจากปัจจัยเดียว แต่เป็นผลมาจากการกระทำควบคู่ของการเชื่อมต่อหลายจุด เช่น การพิมพ์ออฟเซ็ตการบัดกรีแบบวาง การออกแบบการเปิดลายฉลุที่ไม่สมเหตุสมผล โปรไฟล์อุณหภูมิการบัดกรีแบบรีโฟลว์ที่ผิดปกติ และการจับคู่ที่ไม่เหมาะสมระหว่างแผ่น PCB และหน้ากากประสาน ปัจจัยที่ถูกมองข้ามบ่อยที่สุดคือผลกระทบในการยับยั้งความสามารถในการปล่อยสารบัดกรีเมื่อความหนาของลายฉลุและอัตราส่วนพื้นที่เปิดน้อยกว่า 0.66 ซึ่งจะบังคับให้ส่วนหนึ่งของสารบัดกรีถูกบีบออกจากขอบลายฉลุภายใต้แรงกดของไม้กวาดหุ้มยางและยังคงอยู่นอกแผ่น

เราพบว่าสำหรับตัวต้านทานแพ็คเกจ 0402 หากค่าสัมประสิทธิ์การเปลี่ยนแปลงของปริมาณการพิมพ์เกิน 12% ในระหว่างการตรวจสอบ SPI อุบัติการณ์ของลูกบอลบัดกรีหลังจากการเรียงซ้ำในภายหลังจะเพิ่มขึ้นเป็นมากกว่า 3.7 ต่อพันชิ้น โดยเฉพาะอย่างยิ่งเมื่อขนาดอนุภาคของโลหะบัดกรีคือ 25±5μm และความหนืดคือ 850Pa·s สัดส่วนของผงละเอียดที่สูงจะทำให้แนวโน้มการยุบตัวของโลหะบัดกรีแย่ลง ในขณะที่การตั้งค่ามุมปาดน้ำระหว่าง 55° ถึง 60° สามารถปรับปรุงผลการถอดแบบได้ แต่ก็เป็นเรื่องง่ายที่จะทำให้เกิดรอยประสานรองในบริเวณแผ่นขนาดใหญ่ของ QFN วัสดุที่ตามหลังเหล่านี้ไม่สามารถออกซิไดซ์ได้เต็มที่ภายใต้บรรยากาศไนโตรเจน และเกี่ยวข้องโดยตรงกับสารบัดกรีหลอมเหลวเพื่อสร้างแกนกลางของลูกบอลบัดกรี

อิทธิพลของหน้ากากประสาน PCB บนลูกประสานนั้นมีประโยชน์มาก เมื่อความหนาของหน้ากากประสานสีเขียวเกิน 25μm หรือมีการวางแนวที่ไม่ตรงมากกว่า 0.05 มม. กับขอบของแผ่น การระเหยของฟลักซ์ในระหว่างขั้นตอนการรีโฟลว์จะถูกบล็อก ซึ่งจะดันดีบุกเหลวเพื่อย้ายไปยังส่วนที่อ่อนแอของหน้ากากประสาน โดยเฉพาะอย่างยิ่งหากรูทะลุที่ด้านล่างของ BGA ไม่ได้รับการอุดด้วยเรซิน วัสดุบัดกรีสามารถปีนขึ้นไปตามผนังรูได้อย่างง่ายดายและควบแน่นเป็นลูกบอลที่ด้านบน ลูกบอลบัดกรีดังกล่าวมักจะมีเส้นผ่านศูนย์กลางระหว่าง 0.1 มม. ถึง 0.3 มม. และติดแน่น ทำให้ AOI ระบุได้ยาก

สารบัดกรีแบบไม่ต้องทำความสะอาดที่ใช้โดย JiaJinYuan มีดัชนี thixotropic ควบคุมในช่วง 4.2 ถึง 4.8 ภายใต้สภาพแวดล้อม 25 ℃ หากความผันผวนของอุณหภูมิและความชื้นในห้องปฏิบัติการเกินช่วง 22±3°C และ 55±10%RH ความหนืดที่ปรากฏของสารบัดกรีจะลดลงมากกว่า 15% ซึ่งจะทำให้ความสามารถในการป้องกันการยุบตัวลดลง ในเวลานี้ แม้ว่าความตึงของลายฉลุจะคงอยู่ที่ 38N/cm2 แต่รอยขรุขระระดับไมครอนจะยังคงปรากฏบนขอบของสารบัดกรีหลังจากการพิมพ์ พวกมันจะร่วงหล่นเนื่องจากการรบกวนทางกลทันทีที่หัวฉีดสุญญากาศของเครื่องจัดตำแหน่งยกขึ้นและกระจายไปในพื้นที่โดยรอบ อนุภาคบัดกรีอิสระเหล่านี้จะถูกให้ความร้อนและกระเด็นไปบนตัวเครื่องส่วนประกอบหรือพื้นผิว PCB ในขั้นเริ่มต้นของการไหลซ้ำเพื่อสร้างลูกบอลบัดกรีที่แยกออกจากกัน

To solve the problem of solder balls, we cannot only focus on the reflow oven. เราต้องติดตามย้อนหลังว่าสภาวะการเก็บรักษาของสารบัดกรีนั้นตรงตามข้อกำหนดในการทำความเย็นหรือไม่ ความถี่ในการทำความสะอาดลายฉลุจะสูงถึงหนึ่งครั้งทุกๆ 500 งานพิมพ์ด้วยการทำความสะอาดอัลตราโซนิก และระดับการสึกหรอของหัวฉีดของเครื่องวางตำแหน่งเกิน 0.02 มม. หรือไม่ เนื่องจากการเสียรูปเล็กน้อยของเส้นผ่านศูนย์กลางภายในของหัวฉีดจะเปลี่ยนการกระจายแรงกดของตำแหน่ง ทำให้อุปกรณ์ 0201 เกิดการตกตะกอนระดับไมโครที่ระดับ 0.05 มม. ในทิศทางแกน Z ดังนั้นจึงบีบปริมาตรการบัดกรีแบบปกติเดิมและทำให้เกิดการล้นในพื้นที่

บทความที่เกี่ยวข้อง

กลับไปที่รายการ

สินค้าแนะนำ

LFP-5RNTT-305 สารบัดกรีอุณหภูมิสูงไร้สารฮาโลเจน ไร้สารตะกั่ว

LFP-5RNTT-305 สารบัดกรีอุณหภูมิสูงไร้สารฮาโลเจน ไร้สารตะกั่ว

LFP-JJY5RNTT-305 สารบัดกรีอุณหภูมิสูงไร้สารฮาโลเจนไร้สารตะกั่วใช้มาตรฐาน Sn96.5Ag3.0Cu0.5

LFP-5RTS-305 สารบัดกรีอุณหภูมิสูงไร้สารฮาโลเจน ไร้สารตะกั่ว

LFP-5RTS-305 สารบัดกรีอุณหภูมิสูงไร้สารฮาโลเจน ไร้สารตะกั่ว

LFP-JJY5RTS-305T3 QFN ปลอดสารฮาโลเจน ตะกั่วบัดกรีอุณหภูมิสูงเฉพาะ ผลิตจากอุณหภูมิต่ำ

LFP-5RR-305 Zero-Halogen REACH ตะกั่วบัดกรีอุณหภูมิสูงไร้สารตะกั่ว

LFP-5RR-305 Zero-Halogen REACH ตะกั่วบัดกรีอุณหภูมิสูงไร้สารตะกั่ว

LFP-JJY5RR-305 สารบัดกรีอุณหภูมิสูงปราศจากฮาโลเจนไร้สารตะกั่วสำหรับหลอดไฟรถยนต์โดยเฉพาะผลิตขึ้น