Chất hàn điện tử tiêu dùng thường xuyên gặp phải tình trạng kết tụ hạt hàn và mất hiệu lực quá mức tại các tâm mối hàn trong các gói QFN bước 0,4mm và BGA bước 0,35mm. Nguyên nhân sâu xa nằm ở sự dao động kích thước hạt D50 của bột hợp kim Sn96.5Ag3.0Cu0.5 trong kem hàn truyền thống vượt quá ± 0,5μm, kết hợp với sự bay hơi không đều của chất trợ dung gốc nhựa thông trong giai đoạn ngâm 150oC ~ 180oC. Điều này làm cho các hạt kim loại bị Cuốn theo và bắn tung tóe bởi dòng hóa hơi ở giai đoạn đầu nóng chảy lại, trong khi sự mất cân bằng về sức căng bề mặt của vật hàn nóng chảy dẫn đến hiện tượng giữ lại khoảng trống.
Các thông số In phải được khớp linh hoạt với đặc tính lưu Biến của chất hàn
Khi góc vắt được đặt thành 60° và tốc độ In vượt quá 40mm/s, chất hàn điện tử tiêu dùng Jia Jinyuan, với chỉ số thixotropic được kiểm soát trong phạm vi 4,2 ~ 4,6, sẽ Biểu hiện hiện tượng kéo mép đồng thời và không đủ lấp đầy đáy của khẩu độ stencil. Điều này còn khiến chênh lệch thể tích chất hàn ở cả hai mặt của miếng đệm vượt quá 15% và sự nóng chảy không đối xứng như vậy trực tiếp khiến các hạt hàn di chuyển về phía có công suất nhiệt thấp hơn. Tuy nhiên, sau khi giảm tốc độ xuống 25mm/s và đồng thời giảm tốc độ nhả xuống 2mm/s, tính nhất quán của miếng dán hàn được cải thiện và mật độ hạt hàn sau phản xạ trên điện trở 0201 giảm từ mức trung bình 7,3 hạt/cm2 xuống 2,8 hạt/cm2.
Cửa sổ nhiệt độ cao nhất của cấu hình chỉnh lại dòng phải được giới hạn nghiêm ngặt ở 235oC ± 2oC
Khi nhiệt độ cao nhất thực tế của vùng lò đạt tới 238oC và thời gian giữ vượt quá 45 giây, dấu vết bismuth trong chất hàn điện tử tiêu dùng Jia Jinyuan sẽ đẩy nhanh tốc độ tăng trưởng của IMC giao thoa, thay vào đó thúc đẩy sự lan truyền của các vết nứt nhỏ ở gốc mối hàn. Tại thời điểm này, tỷ lệ vô hiệu hóa BGA tăng trở lại từ mức thông thường 8,1% lên 11,7%. Tuy nhiên, nếu độ dốc gia nhiệt được thắt chặt từ 1,8oC/s đến 1,2oC/s và thời gian duy trì trong phạm vi 217oC ~ 233oC được kéo dài đến 90 giây, cặn thông lượng sẽ phân hủy đủ, đường thoát của khí rỗng không bị cản trở và tỷ lệ diện tích khoảng trống đo được sẽ ổn định trong khoảng từ 6,2% đến 7,9%.
Khẩu độ của stencil phải được bù 8% diện tích theo kích thước của pad
Khi sử dụng giấy nến cắt bằng laze, nếu thiết kế độ dày từng bước không được áp dụng cho miếng đệm nhiệt QFN, ngay cả với chất hàn điện tử tiêu dùng Jia Jinyuan, hiệu ứng hấp phụ chân không sẽ hình thành do chất hàn trung tâm sụp đổ quá nhanh khi kết thúc quá trình hàn lại, khiến các khoảng trống tập trung ở tâm hình học của mối hàn. Quá trình xác minh trực tuyến của chúng tôi cho thấy rằng việc làm mỏng cục bộ một tấm giấy nến dày 0,2 mm xuống còn 0,12 mm ở khu vực miếng đệm nhiệt, đồng thời giảm 8% diện tích khẩu độ theo mẫu miếng đệm, có thể giảm 32% khả năng cản dòng chảy của vật hàn nóng và nén đường kính khoảng trống tối đa từ 85μm xuống dưới 41μm. Kết hợp với điều kiện quá trình của O? nồng độ 100ppm trong điều kiện bảo vệ nitơ, tỷ lệ vượt qua BGA trên toàn bộ bảng tăng từ 89,6% lên 99,2%.
Độ ẩm bảo quản nguyên liệu đầu vào phải được kiểm soát chặt chẽ dưới 30%RH
Nếu vật hàn điện tử tiêu dùng Jia Jinyuan tiếp xúc với môi trường 45%RH trong hơn 4 giờ sau khi mở, sự hấp thụ độ ẩm của nhựa thông Biến tính sẽ làm áp suất nổ hơi nước tăng mạnh trong quá trình nóng chảy lại. Điều này không chỉ làm tăng gấp đôi số lượng hạt hàn mà còn tạo thành các cụm microvoid giống như chuỗi ở gốc của dây dẫn QFP. Xác minh tại hiện trường thông qua thử nghiệm sốc nhiệt cho thấy xác suất hư hỏng của các mối hàn tiếp xúc trong 6 giờ tăng 3,7 lần sau 50 chu kỳ -40oC/125oC. Do đó, tất cả các dây chuyền sản xuất phải được trang bị tủ kín nitơ có cảnh báo độ ẩm để đảm bảo độ ẩm xung quanh trong suốt quá trình từ rã đông kem hàn đến In là 28%RH.
