โซลูชั่นการเชื่อม SMT

มอบโซลูชั่นแบบครบวงจรสำหรับปัญหากระบวนการบัดกรี SMT เสนอวัสดุบัดกรีฟรี เช่น ครีมบัดกรี ลวดบัดกรี และแท่งบัดกรี แบ่งปันความรู้เกี่ยวกับกระบวนการบัดกรี SMT ติดตามเราได้ที่ JiaJinYuan เพื่อเรียนรู้ข้อมูลที่เกี่ยวข้องเพิ่มเติม

บริการ
เอกสารทางเทคนิค

วิธีการตั้งค่าโปรไฟล์ Reflow สำหรับการวางบัดกรีไร้สารตะกั่ว

วิธีการตั้งค่าโปรไฟล์ Reflow สำหรับการวางบัดกรีไร้สารตะกั่ว

เมื่อเลือกโปรไฟล์การรีโฟลว์สำหรับสารบัดกรีไร้สารตะกั่ว วิศวกรต้องเผชิญกับคำถามทันที: เหตุใด 8M9P/5RR จึงต้องการหน้าต่างอุณหภูมิสูงสุดที่เข้มงวดกว่าที่ 240–245°C ในขณะที่ 8M/2R ต้องการเพียง 160–185°C และระดับฮาโลเจนที่ต่ำกว่า 500 PPM ใน 8MTSP/5RTS ส่งผลต่อระยะเวลาการสลายตัวของฟลักซ์อย่างไร เมื่อเทียบกับเกรด ROL1 8MQP/5RQ ที่สูงถึง ปริมาณฮาโลเจนทั้งหมด 1,500 PPM ความแตกต่างระหว่างแกนกลางไม่ได้อยู่ที่การตั้งค่าตามอำเภอใจ แต่อยู่ที่พฤติกรรมการหลอมพื้นฐานของโลหะผสม โดยที่ Sn96.5Ag3Cu0.5 (305) หลอมละลายอย่างรวดเร็วที่ 217°C และต้องการโซนการบัดกรีที่ 235–255°C ในขณะที่ Sn42Bi58 ละลายที่อุณหภูมิเพียง 138°C และเสี่ยงต่อภาวะช็อกจากความร้อนหากสัมผัสกับโปรไฟล์อุณหภูมิสูงแบบทั่วไป สารประกอบทางเคมีของฟลักซ์มีดังนี้: สารเพสต์ ROL0 ฮาโลเจนต่ำ เช่น 8M9P/5RR และ 8MTZB/2RTZB จะทำงานในภายหลังและต้องใช้เวลาในการแช่นานกว่า 150°C เพื่อให้ตัวทำละลายระเหยได้เต็มที่ ในขณะที่ประเภท ROL1 ที่มีฮาโลเจนสูงกว่า เช่น 8MQP/5RQ จะเริ่มปิดใช้งานเร็วขึ้นและทนต่อการแช่ที่สั้นกว่า แต่เสี่ยงต่อการกัดกร่อนหากยังมีสารตกค้าง ลักษณะของสารตกค้างเป็นตัวกำหนดการควบคุมทางลาดในการทำความเย็นเพิ่มเติม สารตกค้างโปร่งใสต่ำเช่น 8MNTTP/5RNTT และ 8M9P/5RR จำเป็นต้องค่อยๆ ระบายความร้อนที่อุณหภูมิต่ำกว่า 100°C เพื่อป้องกันการแตกร้าวขนาดเล็กในการเชื่อมต่อระหว่างฟิล์มบาง ในขณะที่ 8MWTH/5RWTH และ 8MW1P/5RW1 ที่สามารถล้างน้ำได้ จะทำให้หยดลงชันมากขึ้น เนื่องจากสารตกค้างจะถูกกำจัดออกหลังการจัดเรียงใหม่โดยไม่คำนึงถึง

สำหรับส่วนประกอบ QFN/DFN ที่ต้องการการทำให้เปียกเกือบ 100% กิจกรรมที่สูงของ 8MQP/5RQ จับคู่ได้ดีที่สุดด้วยการอุ่นทางลาดที่ 1.0–1.5°C/s, 60–90 วินาทีแช่ที่ 150–170°C และอุณหภูมิสูงสุด 240–248°C เป็นเวลา 45–60 วินาที เพื่อให้มั่นใจว่าจะรวมตัวกันอย่างสมบูรณ์โดยไม่ต้องยกแผ่น คอนทราสต์ In, 8MTSP/5RTS ออกแบบมาสำหรับการทำให้เปียก 70–90% โดยมีการมองเห็นสารตกค้างลดลง ดำเนินการได้อย่างน่าเชื่อถือด้วยทางลาดที่นุ่มนวลขึ้น 0.8–1.2°C/s, แช่ 90–120 วินาทีที่ 160–175°C และหน้าต่างจุดสูงสุดที่แคบลงที่ 242–246°C เพื่อลดการเกิดออกซิเดชันในการยุติที่มีระยะพิทช์ละเอียด บอร์ดเคลื่อนที่และโทรคมนาคมความแม่นยำสูงที่ใช้ 8MNTTP/5RNTT ได้ประโยชน์จากผง T5 และฮาโลเจนต่ำพิเศษ (100–200 PPM) ซึ่งจำเป็นต้องอุ่นเครื่องช้าลงที่ 0.5–0.8°C/s เพื่อหลีกเลี่ยงการเผาไหม้ของฟลักซ์ก่อนเวลาอันควร ขยายเวลาแช่ 100–130 วินาทีที่ 155–165°C เพื่อการกำจัดตัวทำละลายที่สม่ำเสมอ และการควบคุมจุดสูงสุดที่แน่นหนาที่ 243–245°C เป็นเวลา 30–45 วินาทีเพื่อรักษาความสมบูรณ์ของลูกบอลบัดกรีบน BGA พิทช์ 0.4 มม. โมดูลไฟส่องสว่างในยานยนต์ที่ใช้ 8M9P/5RR จะต้องจัดลำดับความสำคัญของการลดช่องว่าง ดังนั้นโปรไฟล์จึงเลื่อนไปที่การแช่นานขึ้น 120–150 วินาทีที่ 165–175°C ตามด้วยการลาดอย่างรวดเร็วไปที่ 244–246°C และคงอยู่อย่างเข้มงวด 30–40 วินาทีเพื่อระงับการเกิดนิวเคลียส ในขณะที่ยังคงรักษาขอบเขตความร้อนสำหรับแผงระบายความร้อนอะลูมิเนียม

การใช้งานระบบไฟ LED ที่ใช้ส่วนประกอบระยะพิทช์มาตรฐานเข้ากันได้ดีกับสารเคลือบ 8MA ช่วยให้โปรไฟล์เรียบง่าย: อุ่น 1.0°C/s, แช่ 60–80 วินาทีที่ 150–160°C และสูงสุด 240–245°C เป็นเวลา 40–50 วินาที ทำให้ปริมาณงานสมดุลและความน่าเชื่อถือ สำหรับออสซิลเลเตอร์แบบคริสตัลและจอแสดงผลแบบโปร่งใสที่ไวต่อความเครียดจากความร้อน 8M/2R พร้อมโลหะผสม Sn42Bi58 จำเป็นต้องมีการเคลื่อนตัวออกอย่างรุนแรง โดยจำกัดการทำความร้อนไว้ที่ 0.3–0.6°C/s ไม่มีการแช่ที่อุณหภูมิสูงกว่า 120°C ทางลาดโดยตรงไปยังจุดสูงสุดที่ 165–175°C และคงอยู่เพียง 20–35 วินาทีเท่านั้นเพื่อหลีกเลี่ยงการหลุดร่อน สถานการณ์ที่มีอุณหภูมิต่ำมาก เช่น เซ็นเซอร์แบบยืดหยุ่นที่ใช้ 5RG พร้อม In52Sn48 ต้องการอุณหภูมิสูงสุดที่ 110–130°C ในเวลาเพียง 15–25 วินาที โดยให้ความร้อนต่อยอดที่ 0.2°C/s และการแช่เป็นศูนย์เพื่อป้องกันการโตเกินของอินเทอร์เมทัลลิก เพสต์ที่ล้างน้ำได้ เช่น 8MWTH/5RWTH และ 8MW1AP/5RW1A เป็นไปตามตรรกะทางความร้อนที่คล้ายกัน แต่เพิ่มข้อจำกัดด้านความเสถียรของความหนืด โปรไฟล์ต้องหลีกเลี่ยงการกักเก็บอุณหภูมิที่ 180–200°C เป็นเวลานานซึ่งเร่งการตกต่ำของความร้อน ดังนั้นทางลาดที่แนะนำโดยตรงจากการแช่ไปจนถึงจุดสูงสุดโดยไม่ทำให้ที่ราบสูง ข้อต่อที่บัดกรีด้วยเลเซอร์โดยใช้ 5RLJ หรือ 5RLJB จำเป็นต้องมีตำแหน่งที่แน่นยิ่งขึ้น ดังนั้นระยะเวลาสูงสุดจึงถูกบีบอัดเป็น 5–15 วินาทีที่ 240–245°C หรือ 160–175°C ตามลำดับ โดยมีการอุ่นโดยรอบให้เหลือน้อยที่สุด เพื่อป้องกันความร้อนแพร่กระจายเกินแผ่นเป้าหมาย

หากสายการผลิตของคุณรองรับบอร์ดเทคโนโลยีผสมที่มีทั้ง QFN และ LED แบบ Bi-based ให้หลีกเลี่ยงการประนีประนอมแบบโปรไฟล์เดียว รันสูตรแยกกันสำหรับโซนอุณหภูมิสูงและอุณหภูมิต่ำโดยใช้โซนสายพานลำเลียงหรือเตาอบโซนคู่ สำหรับการผลิตยานยนต์ที่มีปริมาณมากซึ่งอัตราช่องว่างใต้เสาทองแดงไม่สามารถต่อรองได้ ให้ล็อก 8M9P/5RR ด้วยอุณหภูมิสูงสุด 244°C ที่ได้รับการยืนยันและการคงอยู่ 35 วินาที จากนั้นตรวจสอบด้วยการแมปช่องว่างด้วยรังสีเอกซ์ทุกๆ 200 บอร์ด เมื่อเปลี่ยนจากการเชื่อมเหล็กกล้าไร้สนิมเป็น 8MW5S/5RW5S แบบล้างน้ำได้ ให้ลดเวลาสูงสุดลง 10 วินาที และเพิ่มระยะขอบ 5°C ใต้โซลิดัสของโลหะผสม เพื่อป้องกันการเกิดออกซิเดชันของโลหะฐาน อย่ายืดเวลาการแช่สำหรับเพสต์ที่ไม่มีฮาโลเจนเกิน 130 วินาที โดยไม่คำนึงถึงความหนาของบอร์ด ระบบฟลักซ์จะเสื่อมสภาพอย่างรวดเร็วที่สูงกว่า 175°C และเพิ่มความเสี่ยงต่อการละลายของผิวเคลือบ ENIG สำหรับการใช้งานการจ่ายโดยใช้วาล์วนิวแมติกที่มี 5ROHT/5RTZT ให้รักษาอัตราการลาดให้ต่ำกว่า 0.7°C/วินาที เพื่อป้องกันการกระเด็นของครีมระหว่างการให้ความร้อน และคงอุณหภูมิสูงสุดไว้ที่ 245°C เป็นเวลา 40 วินาทีเพื่อให้แน่ใจว่าสามารถเช็ดสารตกค้างได้โดยไม่เกิดคาร์บอนไดออกไซด์

บทความที่เกี่ยวข้อง

กลับไปที่รายการ

สินค้าแนะนำ

LFP-5RNTT-305 สารบัดกรีอุณหภูมิสูงไร้สารฮาโลเจน ไร้สารตะกั่ว

LFP-5RNTT-305 สารบัดกรีอุณหภูมิสูงไร้สารฮาโลเจน ไร้สารตะกั่ว

LFP-JJY5RNTT-305 สารบัดกรีอุณหภูมิสูงไร้สารฮาโลเจนไร้สารตะกั่วใช้มาตรฐาน Sn96.5Ag3.0Cu0.5

LFP-5RTS-305 สารบัดกรีอุณหภูมิสูงไร้สารฮาโลเจน ไร้สารตะกั่ว

LFP-5RTS-305 สารบัดกรีอุณหภูมิสูงไร้สารฮาโลเจน ไร้สารตะกั่ว

LFP-JJY5RTS-305T3 QFN ปลอดสารฮาโลเจน ตะกั่วบัดกรีอุณหภูมิสูงเฉพาะ ผลิตจากอุณหภูมิต่ำ

LFP-5RR-305 Zero-Halogen REACH ตะกั่วบัดกรีอุณหภูมิสูงไร้สารตะกั่ว

LFP-5RR-305 Zero-Halogen REACH ตะกั่วบัดกรีอุณหภูมิสูงไร้สารตะกั่ว

LFP-JJY5RR-305 สารบัดกรีอุณหภูมิสูงปราศจากฮาโลเจนไร้สารตะกั่วสำหรับหลอดไฟรถยนต์โดยเฉพาะผลิตขึ้น