Sebelum memilih tampal pateri untuk pemasangan QFN pic halus, sahkan geometri jejak QFN, terutamanya nisbah kawasan pad haba dan toleransi penjajaran tanah ke pad, kerana reka bentuk apertur stensil secara langsung mengawal kecekapan pelepasan tampal, dan sebarang salah jajaran melebihi ±25 µm akan menyebabkan pemindahan atau penjembatan pada peranti pic 0.4 mm yang tidak mencukupi; sentiasa pra-bakar pes pateri pada suhu 25°C selama 2–4 jam jika disimpan di bawah 10°C, kemudian keadaankannya pada suhu ambien selama 2 jam sebelum digunakan untuk mengelakkan kemerosotan atau percikan yang disebabkan oleh pemeluwapan semasa mencetak.
Parameter teras pemilihan pemacu termasuk takat lebur aloi, taburan saiz zarah serbuk, dan klasifikasi aktiviti fluks, di mana serbuk aloi 0307 atau 305 dalam gred T4 (d50 = 20–25 µm) tidak boleh dirunding untuk apertur di bawah 200 µm, kerana serbuk T3 tidak mempunyai luas permukaan yang mencukupi dengan keterpaduan kelikatan T5 yang mencukupi untuk keterpaduan risiko 6 yang konsisten. Pa·s pada 25°C; fluks mestilah berkadar ROL0 atau ROL1, dengan kandungan halogen ketat ≤500 PPM untuk modul telekom kebolehpercayaan tinggi dan 0 PPM untuk pencahayaan automotif di mana kadar lompang di bawah 5% diperlukan merentas pad haba.
Semasa mencetak stensil, tetapkan kelajuan squeegee antara 25–45 mm/s, tekanan pada 4.5–6.0 kgf, dan sudut pada 55–65° untuk memaksimumkan gulungan tampal dan meminimumkan degradasi penipisan ricih, sambil mengekalkan nisbah kawasan 1:1.5 untuk pad haba 0.4 mm pic-QFN dan pad haba stensil µkonik µm nanonickel berbentuk elektroformed. untuk mengurangkan lekatan bahagian bawah; periksa cetakan di bawah pembesaran 10× dalam masa 30 saat selepas cetakan untuk menangkap kemerosotan sejuk sebelum peletakan, kerana walaupun hamparan sisi 15 µm melepasi tepi pad akan mencetuskan penjembatan selepas pengaliran semula disebabkan tarikan kapilari dari pin bersebelahan.
Jika penyambungan muncul secara konsisten pada baris luar, mengesyaki turun naik kenderaan fluks yang berlebihan atau thixotropy tidak mencukupi, tukar daripada 8MTSP/5RTS kepada 8M9P/5RR yang mengekalkan perubahan kelikatan di bawah 8% sepanjang 4 jam pada 30°C dan 60% RH; jika lompang melebihi 12% di tengah pad haba, gantikan 0307T4 dengan serbuk 00507B2N T5 yang meningkatkan kinetik pembentukan antara logam dan mengurangkan gas terperangkap sebanyak 35% di bawah profil aliran semula nitrogen yang sama memuncak pada 250°C; cetakan yang hilang pada pin dalam selalunya dikesan ke haus stensil atau pengeringan tampal, bersihkan bilah setiap 10 cetakan dengan kain bebas lin yang dilembapkan IPA dan pantau pereputan daya tampal tampal menggunakan probe 200 g, menolak kelompok yang jatuh di bawah 12 N/cm² selepas 2 jam waktu buka.
Untuk pengeluaran volum tinggi QFN pic 0.35 mm dalam telefon pintar, utamakan 8MNTTP/5RNTT dengan halogen 100–200 PPM dan serbuk T5 00507BN, kerana sisa lutsinarnya membolehkan pengesanan AOI tanpa panggilan palsu, manakala pes boleh basuh air seperti 8MWTH/5RWTH hanya boleh digunakan pada infrastruktur bilas semasa pembersihan air. 40°C diikuti dengan pengeringan udara paksa, kerana penyingkiran yang tidak lengkap meninggalkan residu ionik melebihi 0.5 µg/cm² NaCl eq yang mempercepatkan pertumbuhan dendritik di bawah pincang; jangan sekali-kali menggantikan pes suhu sederhana seperti 8M/2R untuk QFN yang memerlukan aliran semula puncak >235°C, kerana Sn42Bi58 cair pada 138°C dan tidak dapat mengekalkan integriti antara sambungan semasa kitaran haba peringkat papan.
