Apabila kami benar-benar menggantikan pateri pada papan RF stesen pangkalan kecil 5G tertentu pada barisan pengeluaran, kami mendapati bahawa selepas pes pateri yang mengandungi halogen asal mengalami 72 jam penuaan haba lembap 85℃/85%RH selepas pengaliran semula, retakan mikro mula muncul di tepi sambungan pateri BGA. Selepas bertukar kepada pateri kebolehpercayaan tinggi tanpa halogen JJY untuk peralatan 5G, integriti sambungan pateri kekal utuh di bawah keadaan yang sama. Ini menunjukkan bahawa sisa fluksnya mempunyai higroskopisitas yang lebih rendah, pencemaran ionik yang lebih kecil, dan padanan pekali pengembangan haba yang lebih baik; pateri ini menambah unsur pengaloi mikro 0.03wt% Ni dan 0.015wt% Ge pada matriks SAC305, meningkatkan tahap penghalusan bijian sambungan pateri sebanyak 40%, jadi tiada patah rapuh diperhatikan dalam ujian lenturan sejuk -40℃.
Proses pencetakan mesti melaraskan tekanan squeegee dan kelajuan demolding secara serentak, kerana indeks thixotropic bagi pateri JJY untuk peralatan 5G ialah 4.8, iaitu 0.6 lebih tinggi daripada pes pateri bebas halogen konvensional. Jika kelajuan demolding lebih rendah daripada 25mm/s, ia adalah mudah untuk menyebabkan lukisan tampalan pateri atau penjembatan, yang lebih sensitif terutamanya pada pad pakej penapis 5G pic 0.3mm; kami pernah gagal untuk menentukur ketegangan stensil dalam masa, mengakibatkan sisihan volum pateri tempatan sebanyak 18%. Selepas itu, kami mengawal ketegangan secara seragam pada 45N/cm dan mengukurnya dengan meter ketegangan setiap 4 jam, memastikan CPK stabil melebihi 1.33.
Tetapan zon suhu ketuhar aliran semula mesti mengambil kira ciri bahawa suhu pengaktifan sistem bebas halogen berada pada bahagian yang tinggi. Kadar tanjakan pemanasan di zon prapemanasan mesti dikawal dalam 1.2 ℃/s, jika tidak, volatilisasi ganas fluks terlebih dahulu akan menyebabkan percikan bola pateri. Semasa kami menyahpepijat di sebuah kilang di Dongguan, kami mendapati bahawa apabila suhu puncak zon suhu ke-3 mencapai 158 ℃, kadar bola pateri 0201 peranti melonjak daripada 0.3% kepada 2.7%. Akhirnya, kami menurunkan suhu zon ini kepada 142 ℃ dan memanjangkan masa penahanan sebanyak 12 saat untuk menyelesaikan masalah sepenuhnya; perlu diperhatikan bahawa kandungan oksigen di bawah atmosfera pelindung nitrogen mesti ditekan di bawah 100ppm, jika tidak, ketebalan lapisan sebatian antara logam Cu6Sn5 secara tidak normal akan meningkat sebanyak 35%, secara langsung melemahkan rintangan jatuhan sendi pateri.
Pemeriksaan AOI tidak boleh hanya melihat liputan tampal pateri, tetapi juga memberi perhatian kepada ketinggian burr di tepi tampal pateri. Pateri JJY untuk peralatan 5G menggunakan serbuk ultra-halus dengan sfera >92%, yang masih boleh mencapai keruntuhan tepi <8μm di bawah bukaan stensil 30μm. Walau bagaimanapun, jika proses penggilap laser stensil tidak ada, jumlah keruntuhan akan melebihi 15μm dan mendorong batu nisan; kami mengesyorkan menggunakan SPI 3D untuk mengimbas keratan rentas pembukaan stensil setiap 500 papan bercetak untuk mengesahkan sama ada nilai Ra kekasaran dinding lubang dikekalkan dalam 0.25μm. Sebaik sahaja ia melebihi standard, gantikan stensil dengan segera untuk mengelakkan sambungan pateri sejuk kelompok.
Dilarang sama sekali menggunakan hujung besi pematerian biasa untuk pemanasan terus semasa pembaikan dan kerja semula, kerana julat lebur pateri ini ialah 217～220℃, dengan tingkap hanya 3℃. Turun naik suhu besi pematerian biasa sebanyak ±8 ℃ boleh menyebabkan pengoksidaan kepanasan lampau sambungan pateri atau pembasahan yang lemah. Besi pematerian suhu malar dengan maklum balas suhu masa nyata mesti digunakan dan masa sentuhan mestilah ≤3 saat; apabila membaiki susunan antena gelombang milimeter tertentu sekali, disebabkan oleh dua operasi pematerian semula berturut-turut, lapisan IMC sambungan pateri menebal kepada 4.2μm, dan peranti ketiga menunjukkan penurunan tujahan sebanyak 22%. Selepas itu, semua pembaikan ditukar kepada kerja semula tempatan udara panas, dan bilangan masa pemanasan setiap titik direkodkan dengan ketat.
