1. Tối ưu hóa hình học khẩu độ stencil bằng cách giảm tỷ lệ diện tích xuống dưới 0,66 chỉ khi kích thước miếng đệm cho phép, vì khẩu độ nhỏ hơn yêu cầu tỷ lệ lấp đầy cao hơn và chất hàn có độ nhớt thấp hơn như 8MTSP/5RTS hoặc 8MNTTP/5RNTT để tránh giải phóng không đủ, đặc Biệt là trên miếng đệm QFN/DFN nơi rủi ro bắc cầu tăng lên nếu khối lượng miếng dán giảm quá nhanh mà không điều chỉnh lưu Biến phù hợp.

2. Độ dày của giấy nến thấp hơn từ 150μm đến 125μm đối với các thành phần có bước cao dưới 0,4 mm, vì giấy nến mỏng hơn làm giảm thể tích lắng xuống ~17% trong khi yêu cầu kiểm soát chặt chẽ hơn áp suất, tốc độ và góc của chổi cao su để tránh bị nhòe hoặc chuyển không hoàn toàn, đặc Biệt với bột nhão hợp kim loại T4 0307 có tính thixotropy cao hơn so với các Biến thể T3.

3. Điều chỉnh tốc độ vắt trong khoảng 25–45 mm/s và áp suất ở mức 4,5–6,5 kg tùy thuộc vào độ ẩm xung quanh, vì tốc độ nhanh hơn làm tăng độ mỏng do cắt nhưng cũng làm tăng nguy cơ bong tróc nếu lớp dán chưa phục hồi hoàn toàn cấu trúc của nó trước khi tách và cài đặt áp suất thấp hoạt động tốt nhất với các công thức hoạt động cao như 8MQP/5RQ giúp duy trì độ nét của cạnh ngay cả khi thời gian dừng giảm.

4. Chuyển từ hợp kim Sn64Bi35Ag1 sang hợp kim Sn42Bi58 trong các ứng dụng nhiệt độ thấp, trong đó nhiệt độ phản xạ cực đại được giới hạn ở 185°C, do loại sau mang lại khả năng chống sụt tương đương khi tải khối lượng thấp hơn do tính chất eutectic và phạm vi nóng chảy hẹp hơn, cho phép giảm thể tích dán tới 12% mà không phải hy sinh độ ướt trên đế LED hoặc liên kết dây đồng.

5. Sử dụng bột nhão có thể giặt bằng nước không chứa halogen như 8MWTH/5RWTH với bột T5 cho PCB ô tô mật độ cao, vì độ nhớt ổn định của chúng trong quá trình In trong 8 giờ giúp ngăn chặn sự lắng đọng tiến triển và việc không có halogen giúp loại bỏ mối lo ngại về ăn mòn sau khi rửa, nếu không thì buộc phải In quá nhiều để bù đắp cho quá trình oxy hóa dư trong quá trình sản xuất dây chuyền dài.

6. Thay thế giấy nến cắt bằng laze 150μm thông thường bằng giấy nến niken điện hóa có thành có khẩu độ nano mịn khi chạy 8M9P/5RR trên mảng BGA, vì thành mịn hơn cải thiện hiệu suất giải phóng bột nhão lên 8–11% so với thép không gỉ tiêu chuẩn và hàm lượng halogen bằng 0 PPM đảm bảo không có cặn ion cản trở độ nhạy phát hiện AOI tiếp theo trong quá trình tăng tốc năng suất cao.