Việc chọn chất hoạt tính thích hợp cho kem hàn đòi hỏi phải đánh giá cẩn thận khả năng tương thích luyện kim, độ bền nhiệt và các đặc tính cặn sau phản ứng nóng chảy, vì mức hoạt tính không khớp có thể gây ra sự tăng trưởng liên kim loại quá mức trên các miếng đồng hoặc quá trình oxy hóa sớm của các quả cầu hàn bước nhỏ trong quá trình nung nóng trước. Khi tổ hợp bao gồm các bảng công nghệ hỗn hợp có cả BGA không chì và thụ động chì thiếc truyền thống, dòng thông lượng phải duy trì độ ẩm nhất quán qua các điểm nóng chảy khác nhau mà không gây ra sự ăn mòn do halogen gây ra trên các dấu vết RF nhạy cảm hoặc mô-đun liên kết bằng dây nhôm. Chất trợ dung hoạt tính chứa axit hữu cơ được kích hoạt nhẹ như axit adipic hoặc axit succinic mang lại hiệu suất cân bằng cho bột nhão SnAgCu tiêu chuẩn được In qua khẩu độ 0,1 mm, trong khi các công thức có hoạt tính cao với axit cacboxylic thay thế được dành riêng cho các ứng dụng đầy thách thức như In khối lượng thấp trên PCB được phủ OSP bị oxy hóa hoặc làm lại QFN lão hóa bằng nhiệt với miếng đệm nhiệt được nâng lên.
Nhiệt độ bắt đầu phân hủy của phương tiện từ thông phải vượt quá nhiệt độ nóng chảy tối đa ít nhất 30°C để ngăn chặn sự bay hơi sớm trước khi kết tụ hoàn toàn và vì hầu hết các cấu hình không chứa chì đạt đến 245°C trong 60 giây, từ thông được chọn phải duy trì ổn định về mặt hóa học lên tới 275°C mà không tạo ra quá nhiều khói hoặc cặn cacbon làm ảnh hưởng đến độ chính xác của kiểm tra AOI. Nếu dây chuyền sản xuất sử dụng môi trường nitơ, dòng hoạt tính thấp hơn sẽ trở nên khả thi do áp suất oxy hóa giảm, tuy nhiên loại bột nhão tương tự có thể hoạt động kém hơn trong môi trường phản xạ không khí, nơi cần có nồng độ axit cao hơn để duy trì sự giảm bề mặt trong khoảng nhiệt độ tới hạn 183–220°C. Khả năng hút ẩm còn lại cũng phải được đánh giá cùng với khả năng làm sạch bo mạch, vì các chất hoạt động bề mặt không ion hòa trộn vào một số chất trợ dung không sạch có thể hấp thụ độ ẩm xung quanh và bắt đầu di chuyển điện hóa dưới sự phân cực, đặc Biệt là gần các tụ điện 0201 cách nhau dưới 0,3 mm.
Tuổi thọ của stencil và khả năng chống sụt giảm bị ảnh hưởng trực tiếp bởi lưu Biến thông lượng, do đó, các loại bột nhão được tạo thành từ các chất Biến tính thixotropic như silica bốc khói đòi hỏi sự cân bằng cắt mỏng chính xác, việc duy trì độ nhớt quá nhiều sẽ gây ra sự bắc cầu trên các vùng đất QFP có bước 0,3 mm, trong khi ứng suất chảy không đủ sẽ dẫn đến độ võng sau khi In và hiệu suất truyền không đủ dưới độ dày khẩu độ 0,08 mm. Độ bền axit thông lượng phải được hiệu chỉnh theo độ dày oxit tự nhiên của lớp hoàn thiện đầu Cuối mục tiêu: Bề mặt ENIG thường chỉ mang 2–3 nm oxit niken photpho, cho phép kích hoạt nhẹ hơn, nhưng bạc ngâm sẽ phát triển các lớp sunfua dày hơn, Biến đổi hơn, đòi hỏi các chất khử mạnh hơn có khả năng phá vỡ liên kết Ag₂S mà không tấn công lớp đồng bên dưới. Giám sát thời gian thực tần số bóng hàn trong quá trình thử nghiệm In giúp xác định kích hoạt từ thông cận Biên, bởi vì bóng quá mức thường báo hiệu độ hòa tan oxit không đủ trước khi nóng chảy lại thay vì độ cầu của bột kim loại kém hoặc khả năng hấp thụ độ ẩm.
Các kỹ sư quy trình nên tham khảo chéo các bảng dữ liệu của nhà cung cấp thông lượng không chỉ về nhiệt độ đỉnh và giá trị Tg được khuyến nghị mà còn về điện trở suất cặn đo được thực tế sau 168 giờ tiếp xúc với 85°C/85% RH, vì các tuyên bố"không sạch" đã công bố thường bỏ qua việc xác nhận độ tin cậy dài hạn trong chu kỳ độ ẩm liên quan đến hiện trường. Đối với các cụm lắp ráp cấp ô tô yêu cầu tuân thủ AEC-Q200, chất trợ dung phải chứng minh sự tăng trưởng đuôi gai bằng 0 sau 1000 giờ thử nghiệm HAST sai lệch và bất kỳ hàm lượng clorua nào, ngay cả ở mức dưới 100 PPM, phải được báo cáo và xác minh rõ ràng thông qua sắc ký ion, vì các ion Cl⁻ dư tăng tốc độ ăn mòn đồng bên dưới lớp phủ phù hợp trong quá trình sốc nhiệt. Khi chuyển từ chất hàn có thể rửa được bằng nước sang chất hàn không sạch, toàn bộ quy trình lau chùi đối với chất tẩy rửa stencil phải được đánh giá lại, vì chất tẩy từ thông dựa trên dung môi có thể để lại cặn không tương thích gây cản trở độ bám dính của lớp phủ phù hợp tiếp theo trên nền FR4 có độ không khớp CTE cao.
